Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TRIR0415+ DIRECTFE
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613Infineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.88 грн
1001+68.04 грн
3001+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1PBFIR1011+ DirectFET-MT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.63 грн
250+116.50 грн
1000+82.45 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.98 грн
78+182.89 грн
79+180.93 грн
113+121.31 грн
250+111.20 грн
500+93.21 грн
1000+86.74 грн
3000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.98 грн
10+182.89 грн
25+180.93 грн
100+121.31 грн
250+111.20 грн
500+93.21 грн
1000+86.74 грн
3000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.58 грн
133+106.78 грн
137+103.95 грн
500+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+260.69 грн
50+168.63 грн
250+116.50 грн
1000+82.45 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.96 грн
10+136.51 грн
100+87.98 грн
500+70.53 грн
1000+68.43 грн
2500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614IRF6614 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
на замовлення 9583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.19 грн
10+228.20 грн
25+225.89 грн
100+179.14 грн
250+135.36 грн
500+128.64 грн
1000+118.03 грн
3000+91.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBF
Код товару: 106259
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.37 грн
10+151.70 грн
100+119.02 грн
500+100.73 грн
1000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.47 грн
10+219.22 грн
100+152.22 грн
250+150.13 грн
500+125.69 грн
1000+105.44 грн
2500+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.72 грн
10+211.29 грн
25+209.19 грн
100+162.51 грн
250+120.39 грн
500+114.43 грн
1000+113.28 грн
3000+105.39 грн
6000+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617IRF09+
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.72 грн
1001+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFIOR2006
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+108.35 грн
100+86.35 грн
500+74.59 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
3+138.49 грн
10+122.86 грн
100+85.89 грн
500+71.22 грн
1000+58.31 грн
2500+52.23 грн
4800+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.35 грн
500+74.59 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618IOR04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618-8IOR2006
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618PBF-6IOR2007
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618PBF-8IOR2007
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1IR
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFIOR2007
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.64
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 313-322 дні (днів)
2+233.81 грн
10+207.98 грн
100+145.24 грн
500+119.41 грн
1000+92.17 грн
2500+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.16 грн
10+172.91 грн
25+166.03 грн
100+136.38 грн
250+114.14 грн
500+106.90 грн
1000+99.78 грн
3000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.67 грн
10+154.85 грн
100+107.77 грн
500+82.25 грн
1000+76.19 грн
2000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+106.66 грн
100+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]