Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+106.66 грн
100+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+107.19 грн
100+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.83 грн
2000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1PBFIOR2006
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TRPBF
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620IOR2006
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620IRPBF
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1IR0527+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFIR06+
на замовлення 10603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.01 грн
10+110.79 грн
100+85.54 грн
500+66.27 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.72 грн
10+114.83 грн
100+81.00 грн
500+64.17 грн
1000+53.77 грн
4800+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.54 грн
500+66.27 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621PBF-6IOR2007
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621PBF-8IOR2007
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFIOR2006
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFIOR2007
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TRPBF
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1Infineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFIR07+ SMD
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.77 грн
10+130.89 грн
100+83.79 грн
500+70.53 грн
1000+66.69 грн
2500+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
10+138.43 грн
100+95.63 грн
500+72.59 грн
1000+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.09 грн
500+80.19 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesIRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.36 грн
10+142.56 грн
100+105.09 грн
500+80.19 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesIRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.79 грн
25+79.54 грн
100+75.50 грн
250+68.79 грн
500+64.97 грн
1000+63.91 грн
3000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626IOR2006
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6628TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6628TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631IOR2006
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633APBFIOR2007
на замовлення 14843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633BPBFIOR2007
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633CPBFIOR2007
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633DPBFIOR2007
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633EPBFIOR2007
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635International RectifierMFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635IOR2005
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635MDF2IOR2007
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635PBFIOR2007
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635PBF-FREEZEIOR2007
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1PBFIR0812+ DirectFET-MN?
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]