Продукція > 2SD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SD2654ROHM10+/04+R SOT-523
на замовлення 585000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654 TL WROHMSOT23
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654-VROHM06+ SOT-523
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654/WROHMSOT-523
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVRohm Semiconductor2SD2654E3TLV
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654E3TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, High hFE & Muting Transistor
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVRohm Semiconductor2SD2654E3TLV
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654E3TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654E3TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.11 грн
14+21.82 грн
100+13.81 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLROHM
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.84 грн
12+26.36 грн
100+16.81 грн
500+11.92 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
863+16.37 грн
895+15.78 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+34.62 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLVROHMDescription: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLWRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.25 грн
13+23.16 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLWRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLWROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN
на замовлення 9291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2654TLW/BJWROHMSOT-523
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2655(WM)
Код товару: 102232
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2655WM-TL-ERENESAS09+
на замовлення 57018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656ROHM06+ SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.38 грн
18+17.42 грн
100+10.97 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-323 1A 270 to 680hFE 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 200
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656FRAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+22.00 грн
702+20.11 грн
851+16.59 грн
1000+14.18 грн
2000+12.18 грн
3000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+25.96 грн
565+25.02 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.11 грн
14+21.96 грн
100+13.98 грн
500+9.85 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+25.96 грн
565+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106ROHMDescription: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657ROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657 FSATLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+15.65 грн
910+15.52 грн
2178+6.48 грн
2213+6.15 грн
2226+5.66 грн
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1.5A; 200mW; SC59,SOT346
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC59; SOT346
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
Frequency: 330MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+10.09 грн
1446+9.77 грн
2500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.93 грн
12+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657KT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+32.46 грн
100+20.89 грн
500+14.92 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLROHMDescription: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+65.67 грн
500+41.68 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLROHMDescription: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2657TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+10.38 грн
1406+10.04 грн
2500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD266TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2660
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+23.44 грн
625+22.60 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100ROHMDescription: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100ROHMDescription: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662 T100ROHMSOT89
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.18 грн
965+14.64 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2662T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD267TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+35.14 грн
100+22.70 грн
500+16.26 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+21.53 грн
680+20.75 грн
1000+20.08 грн
2500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TLROHMDescription: ROHM - 2SD2670TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671ROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+75.08 грн
500+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLROHMDescription: ROHM - 2SD2671TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.45 грн
10+44.08 грн
100+28.75 грн
500+20.78 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLROHMDescription: ROHM - 2SD2671TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2671TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2672TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 4A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2672TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 4A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2672TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 4A
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2672TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 4A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673ROHMSOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673 TLROHM09+
на замовлення 39018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673-TLROHMSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.04 грн
610+23.17 грн
1000+22.41 грн
2500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.04 грн
610+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.73 грн
500+46.95 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]