Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 7079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.84 грн
100+54.35 грн
500+40.36 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.77 грн
500+47.25 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.76 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsSTD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsSTD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.21 грн
272+52.00 грн
274+51.79 грн
500+49.74 грн
1000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.00 грн
10+88.60 грн
100+61.69 грн
500+44.68 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsSTD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.43 грн
25+52.21 грн
100+50.14 грн
250+46.24 грн
500+44.22 грн
1000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMicroelectronicsSTD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.69 грн
500+44.68 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.11 грн
127+111.46 грн
500+91.40 грн
1000+86.73 грн
2500+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.80 грн
500+69.36 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+112.99 грн
100+80.80 грн
500+69.36 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 11057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.50 грн
100+81.27 грн
500+61.34 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.82 грн
5000+51.30 грн
7500+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.52 грн
100+141.51 грн
500+127.94 грн
1000+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+136.01 грн
100+94.39 грн
500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AGSTMMOSFET N-CH 950V 9A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB20ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB20-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB20-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB20-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB20T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NB60H
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40Z-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+92.08 грн
100+62.54 грн
500+46.83 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.52 грн
5000+60.41 грн
7500+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 5,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В, Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.52 грн
5000+60.41 грн
7500+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
5+109.19 грн
10+95.61 грн
25+79.50 грн
100+60.89 грн
500+46.88 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.7 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.32 грн
10+111.36 грн
100+75.03 грн
500+55.55 грн
1000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50N
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50NSTMMOSFET N-CH 500V 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 500V 0.70 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.55 грн
5000+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMN-CH 600V 5A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.80 грн
10+114.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 10966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+130.80 грн
100+90.24 грн
500+68.41 грн
1000+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.54 грн
5000+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.64 грн
5000+57.56 грн
7500+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.65 грн
10+88.88 грн
100+82.16 грн
500+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM64NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM64NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 640 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.06 грн
10+177.68 грн
100+130.10 грн
500+119.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+147.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+126.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+147.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NM80-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NS20T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.19 грн
164+86.31 грн
188+75.42 грн
250+72.00 грн
500+60.72 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]