Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3000 | HITACHI | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3000ZY-90TL-E | RENESAS | SOT23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3000ZY-90TL-E | Renesas | Silicon N Channel Mos Fet Low Frequency Power Switching | на замовлення 26999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3000ZY-90TL-E | Renesas | Description: 2SK3NSINGPOWMOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3000ZY-TL-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3003 | Sanken Electric USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3003 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK3004 | Sanken Electric USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3007 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK301 | ROHM | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK301 Код товару: 31639
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: -55 V Idd,A: 0,03 A Ciss, pF/Qg, nC: /6,5 Примітка: N-Channel JFETs Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| 2SK3011 | XDY | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3017(F) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3017(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3017(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3017-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK3018 | HOTTECH | N-CH, MOSFET, 30V, 0.1A, SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018 | JSCJ | 30V 100mA 200mW 8?@4V,10mA 1.5V 1 N-channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018 | kuu semiconductor | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018 T106 | ROHM | SOT323-KN | на замовлення 184378 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018 T106 SOT323-KN | ROHM | на замовлення 1178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3018 T106 SOT323-KN P | ROHM | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3018 T146R | RHOM | SOT23 07+ LF | на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018-ML | MOSLEADER | Description: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-T106/KN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 27595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP Код товару: 168219
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MCC Corp. | MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT323 On-state resistance: 13Ω Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018A | ROHM | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | Rohm | N-CH, MOSFET, 30V, 0.1A, SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 30V .1A SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018T106 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018T106SOT323-KN | ROHM | на замовлення 1678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3018W | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT- Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3018W | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT- Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019 | ROHM | 09+ | на замовлення 132036 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019 TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 7965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019 TL SOT416-KN | ROHM | на замовлення 2138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD Mounting: SMD Case: SOT523 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 13Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | на замовлення 2264 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019/KN | ROHM | 09+ | на замовлення 23018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch 30Vds 20Vgs 100mA 150mW 9pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019HE3-TP | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019KN | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK3019TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 35451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | ROHM | Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | Rohm | MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | ROHM | Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 30V .1A SOT416 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3019TLSOT416-KN | ROHM | на замовлення 2683 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK302 Код товару: 92389
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK302 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK302(TG) | TOSHIBA | 00+ SOT-23 | на замовлення 39999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-GR | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-GR(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-Y | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-Y(TE85L) | Toshiba | MOSFET S-MINI FET(HF),DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-Y(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-Y(TE85LF) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-Y/TY | TOSHIBA | SOT-23 02+ | на замовлення 847 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302-YGR | TOSHIBA | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SK3020 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK3020-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V | на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SK3020-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3020-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3020-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3021 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SK302200L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 60V 5A U-G2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: U-G2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2Sk3024 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

