Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 56 64 72 80  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK2996ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2996
Код товару: 31515
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,74 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2996ToshibaMOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2996(Q,T)ToshibaMOSFET 220NIS2 PLN,DISCON(09-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2997TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2998TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK30TOS08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK300SONY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK300-1
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK300-2
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK300-3SONYO
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK300-4
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000HITACHI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-90TL-ERENESASSOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-90TL-ERenesasSilicon N Channel Mos Fet Low Frequency Power Switching
на замовлення 26999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+71.32 грн
550+64.20 грн
1000+59.20 грн
10000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-90TL-ERenesasDescription: 2SK3NSINGPOWMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3000ZY-TL-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3003Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3003
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3004Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3007
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK301ROHM
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK301
Код товару: 31639
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: -55 В
Струм стоку Idd, А: 0,03 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: /6,5
Примітка: Польові транзистори N-канал (JFET)
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3011XDY
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017(F)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3017-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018GOODWORKDescription: 30V 300mA 1.5@10V SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018HOTTECHN-CH, MOSFET, 30V, 0.1A, SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+1.55 грн
60000+1.35 грн
300000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.04 грн
87+3.46 грн
123+2.46 грн
143+1.99 грн
500+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018JSCJ30V 100mA 200mW 8?@4V,10mA 1.5V 1 N-channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018kuu semiconductorTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.11 грн
9000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106ROHMSOT323-KN
на замовлення 184378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 SOT323-KNROHM
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 SOT323-KN PROHM
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T146RRHOMSOT23 07+ LF
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-MLMOSLEADERDescription: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.45 грн
3000+2.29 грн
6000+2.10 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-T106/KN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
6000+4.70 грн
9000+4.44 грн
15000+3.89 грн
21000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC Corp.MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP
Код товару: 168219
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
On-state resistance: 13Ω
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.82 грн
24+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 27595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
20+15.06 грн
100+9.43 грн
500+6.56 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018AROHM
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V .1A SOT-323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106RohmN-CH, MOSFET, 30V, 0.1A, SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHMDescription: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHMDescription: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106SOT323-KNROHM
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WGOODWORKDescription: 30V 250mA 1.5@10V SOT-323
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.04 грн
91+3.31 грн
130+2.32 грн
151+1.87 грн
500+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019GOODWORKDescription: 30V 200mA 3.5@10V SOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019ROHM09+
на замовлення 132036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.17 грн
50+6.02 грн
71+4.29 грн
100+3.48 грн
500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 TLROHMSOT23
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 TL SOT416-KNROHM
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.79 грн
32+13.26 грн
100+7.74 грн
500+5.36 грн
1000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.77 грн
28+11.15 грн
100+6.93 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019/KNROHM09+
на замовлення 23018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
22+14.16 грн
100+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 30Vds 20Vgs 100mA 150mW 9pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019KN
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHMDescription: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 7151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
22+13.93 грн
50+10.02 грн
100+8.20 грн
500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohmMOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHMDescription: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V .1A SOT416
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLSOT416-KNROHM
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302
Код товару: 92389
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302(TG)TOSHIBA00+ SOT-23
на замовлення 39999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-GR(TE85L,F)ToshibaMOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 56 64 72 80  Наступна Сторінка >> ]