Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMNH4011SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4011SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4011SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4011SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4011SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSDQDiodesMOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.00 грн
5000+25.68 грн
12500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4015SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4026SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 17030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+50.12 грн
100+34.70 грн
500+27.21 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4026SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.83 грн
5000+20.82 грн
12500+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4026SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4026SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4026SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH45M7SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTQDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+124.69 грн
100+100.21 грн
500+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTQDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SCTQDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 16.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6008SPSWQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 4600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 4600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6010SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6010SCTB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB
Mounting: SMD
Drain current: 94A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO263AB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 532A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.06 грн
1600+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6011LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3077 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6011LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6011LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6011LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3077 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.49 грн
7500+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.06 грн
25+75.42 грн
50+62.86 грн
100+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.65 грн
10+88.52 грн
100+60.05 грн
500+44.91 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.98 грн
5000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.15 грн
5000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.17 грн
5000+21.43 грн
7500+21.07 грн
12500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 976626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+42.65 грн
100+32.96 грн
500+26.56 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+102.95 грн
100+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+48.08 грн
100+32.44 грн
500+23.65 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+56.08 грн
100+43.75 грн
500+33.92 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.11 грн
5000+28.53 грн
12500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+59.25 грн
100+46.09 грн
500+36.66 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.28 грн
5000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.78 грн
100+56.46 грн
500+41.97 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.