Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMNH6012SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.65 грн
10+88.52 грн
100+60.05 грн
500+44.91 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.98 грн
5000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.15 грн
5000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 976626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+42.65 грн
100+32.96 грн
500+26.56 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.17 грн
5000+21.43 грн
7500+21.07 грн
12500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+102.95 грн
100+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+48.08 грн
100+32.44 грн
500+23.65 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+56.08 грн
100+43.75 грн
500+33.92 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+59.25 грн
100+46.09 грн
500+36.66 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.11 грн
5000+28.53 грн
12500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.78 грн
100+56.46 грн
500+41.97 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.28 грн
5000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
100+31.96 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.51 грн
100+37.99 грн
500+27.80 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+55.40 грн
100+40.68 грн
500+31.06 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.22 грн
5000+24.24 грн
7500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.01 грн
5000+15.07 грн
7500+14.41 грн
12500+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+41.66 грн
100+27.29 грн
500+19.77 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.72 грн
100+30.71 грн
500+22.34 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.96 грн
5000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+56.61 грн
100+41.60 грн
500+30.77 грн
1000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.94 грн
5000+27.66 грн
7500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6069SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNIAD01SLVBTIntelDescription: INTEL QUARK MICROCONTROLLER D100
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+281.80 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNIAD01SLVBT SLKMJIntel32-bit Microcontrollers - MCU Quark D1000 32-Bit MCU 33MHz
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Almera 1995->2000
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Thickness: 8mm
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Nissan Almera front doors
Car audio: spacer ring
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+366.68 грн
3+302.75 грн
5+265.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Car Audio features: impregnated
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Navara 2 1997->2005; Nissan Patrol V 1997->2013
Application - loudspeaker localisation: Nissan Navara front doors; Nissan Patrol front doors
Car audio: spacer ring
Thickness: 32mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+710.79 грн
3+586.22 грн
5+513.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Car audio: spacer ring
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan NV300 2014->; Nissan NV400 09/2010->; Nissan Primera (P12) 2001->2007
Application - loudspeaker localisation: Nissan NV300 front doors; Nissan NV400 front doors; Nissan Primastar front doors
Thickness: 26mm
Car Audio features: impregnated
Quantity in set/package: 2pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46