Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMNH6021SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.31 грн
500+23.18 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+47.64 грн
100+32.14 грн
500+23.43 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+48.74 грн
100+28.99 грн
500+23.13 грн
1000+20.99 грн
2500+18.09 грн
5000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.55 грн
16+50.82 грн
100+34.47 грн
500+23.26 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.93 грн
500+32.76 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
13+64.83 грн
100+42.93 грн
500+32.76 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+55.57 грн
100+43.35 грн
500+33.60 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.83 грн
5000+28.27 грн
12500+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.04 грн
10+62.80 грн
100+38.73 грн
500+31.13 грн
1000+28.72 грн
2500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+58.71 грн
100+45.66 грн
500+36.33 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.93 грн
5000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.43 грн
500+44.04 грн
1000+40.38 грн
2500+36.66 грн
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+83.01 грн
100+55.94 грн
500+41.58 грн
1000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.24 грн
100+31.66 грн
500+23.01 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.69 грн
10+47.32 грн
100+27.89 грн
500+22.23 грн
1000+20.23 грн
2500+17.33 грн
5000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.26 грн
500+25.50 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.32 грн
10+50.97 грн
100+30.79 грн
500+24.58 грн
1000+22.57 грн
2500+22.51 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.82 грн
14+57.83 грн
100+38.26 грн
500+25.50 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.99 грн
100+37.64 грн
500+27.55 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+54.89 грн
100+40.31 грн
500+30.77 грн
1000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.97 грн
5000+24.01 грн
7500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+59.94 грн
100+38.24 грн
500+31.82 грн
1000+28.30 грн
2500+25.68 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.93 грн
10+43.43 грн
100+28.99 грн
500+22.92 грн
1000+18.36 грн
2500+16.57 грн
10000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+41.28 грн
100+27.04 грн
500+19.59 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.89 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.85 грн
5000+14.93 грн
7500+14.28 грн
12500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.83 грн
17+48.97 грн
100+31.89 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.29 грн
100+30.43 грн
500+22.14 грн
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.71 грн
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+56.09 грн
100+41.22 грн
500+30.48 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+58.51 грн
100+39.56 грн
500+33.48 грн
1000+27.27 грн
2500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.65 грн
5000+27.40 грн
7500+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
10+41.12 грн
100+26.72 грн
500+21.06 грн
1000+16.22 грн
2000+14.70 грн
10000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNIAD01SLVBTIntelDescription: INTEL QUARK MICROCONTROLLER D100
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+279.21 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNIAD01SLVBT SLKMJIntel32-bit Microcontrollers - MCU Quark D1000 32-Bit MCU 33MHz
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Almera 1995->2000
Car Audio features: impregnated
Material: MDF
Thickness: 8mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
Application - loudspeaker localisation: Nissan Almera front doors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+373.17 грн
3+307.46 грн
5+269.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Car Audio features: impregnated
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Navara 2 1997->2005; Nissan Patrol V 1997->2013
Application - loudspeaker localisation: Nissan Navara front doors; Nissan Patrol front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
Thickness: 32mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+704.28 грн
3+580.85 грн
5+508.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMNISS03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan NV300 2014->; Nissan NV400 09/2010->; Nissan Primera (P12) 2001->2007
Application - loudspeaker localisation: Nissan NV300 front doors; Nissan NV400 front doors; Nissan Primastar front doors
Thickness: 26mm
Car Audio features: impregnated
Quantity in set/package: 2pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46