Продукція > BSP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSP16T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.90 грн
2000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.04 грн
100+23.28 грн
500+17.39 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...120
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 15MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
18+23.82 грн
25+18.70 грн
100+13.67 грн
250+11.66 грн
500+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.78 грн
100+17.79 грн
500+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+32.04 грн
608+23.28 грн
814+17.39 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.90 грн
2000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17PH09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170INFLNEON07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.11 грн
477+29.69 грн
626+22.60 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.85 грн
6000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.34 грн
17+46.11 грн
100+29.69 грн
500+21.79 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.76 грн
6000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.30 грн
50+23.64 грн
100+19.54 грн
500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
36000+15.83 грн
54000+14.73 грн
72000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PINF09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon
на замовлення 118998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.43 грн
2000+35.09 грн
3000+33.39 грн
5000+30.35 грн
7000+27.09 грн
10000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 16590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2160+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.47 грн
12+64.95 грн
25+64.30 грн
50+61.97 грн
100+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.43 грн
2000+35.09 грн
3000+33.39 грн
5000+30.35 грн
7000+27.09 грн
10000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.31 грн
50+38.81 грн
100+32.31 грн
500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 11328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.47 грн
218+64.95 грн
220+64.30 грн
221+61.97 грн
367+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
10+45.45 грн
50+34.05 грн
100+30.19 грн
200+26.92 грн
500+23.40 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171
Код товару: 83584
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171INF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.40 грн
17+45.64 грн
100+29.46 грн
500+21.69 грн
1000+18.07 грн
3000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+45.64 грн
481+29.46 грн
629+22.49 грн
1000+19.51 грн
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.64 грн
50+25.36 грн
100+20.98 грн
500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.00 грн
36000+17.37 грн
54000+16.16 грн
72000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327
Код товару: 122767
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 365/13
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 27.08.2026
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.24 грн
2000+26.78 грн
3000+25.74 грн
5000+24.72 грн
7000+22.07 грн
10000+20.42 грн
25000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 40012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.23 грн
226+62.81 грн
229+61.79 грн
232+58.98 грн
326+38.79 грн
576+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+46.38 грн
100+30.69 грн
200+27.42 грн
250+26.42 грн
500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.78 грн
50+38.31 грн
100+31.89 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 33426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.21 грн
2000+26.66 грн
3000+25.65 грн
5000+24.63 грн
7000+22.00 грн
10000+20.37 грн
25000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.23 грн
13+62.81 грн
25+61.79 грн
50+58.98 грн
100+38.79 грн
250+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 : BSP171P L6327InfineonBSP171PH6327XTSA1 : BSP171P L6327 BSP171P Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327InfineonSOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
10000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP179H6327XTSA1 - BSP179 SIPMOS, SMALL SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Color: Red
Wire Gauge: 16-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1818-12H08Bestar TechnologyCOO= CHINA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19NexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NXPSOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]