Продукція > BSP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.93 грн
2000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
18+23.60 грн
25+18.53 грн
100+13.54 грн
250+11.55 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+24.77 грн
757+18.75 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 2466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.74 грн
100+16.02 грн
500+12.15 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17PH09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170INFLNEON07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
6000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.31 грн
36000+16.74 грн
54000+15.57 грн
72000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.47 грн
23+36.08 грн
100+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+33.03 грн
100+18.50 грн
500+14.15 грн
1000+12.70 грн
3000+10.84 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
849+16.71 грн
947+14.97 грн
950+14.92 грн
1040+13.15 грн
1274+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.97 грн
100+23.15 грн
500+16.54 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
6000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.17 грн
46+16.71 грн
100+14.43 грн
250+13.32 грн
500+11.69 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PINF09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.09 грн
100+31.54 грн
500+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon
на замовлення 118998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.18 грн
100+31.55 грн
500+25.13 грн
1000+21.33 грн
2000+19.19 грн
5000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2160+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.96 грн
2000+23.70 грн
3000+22.55 грн
5000+19.95 грн
7000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.87 грн
200+34.48 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.05 грн
294+48.37 грн
500+37.50 грн
1000+32.70 грн
2000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.96 грн
10+45.04 грн
50+33.74 грн
100+29.91 грн
200+26.67 грн
500+23.18 грн
1000+21.02 грн
2000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.30 грн
2000+26.72 грн
3000+26.44 грн
5000+22.86 грн
7000+21.01 грн
10000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.25 грн
2000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.31 грн
100+36.97 грн
500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.20 грн
15+56.62 грн
50+46.87 грн
200+34.48 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 16590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.36 грн
100+29.55 грн
500+22.92 грн
1000+20.71 грн
2000+18.02 грн
5000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.37 грн
2000+26.78 грн
3000+26.51 грн
5000+22.93 грн
7000+21.06 грн
10000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.21 грн
2000+27.16 грн
5000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171INF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171
Код товару: 83584
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.67 грн
42+18.06 грн
43+17.88 грн
100+15.43 грн
250+14.14 грн
500+12.66 грн
1000+12.17 грн
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
793+17.88 грн
887+16.00 грн
895+15.84 грн
960+14.24 грн
1000+12.67 грн
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.20 грн
500+16.45 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.68 грн
100+20.57 грн
500+15.60 грн
1000+14.01 грн
3000+11.67 грн
9000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.26 грн
100+25.35 грн
500+18.16 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
23+35.92 грн
100+23.20 грн
500+16.45 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327
Код товару: 122767
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 1,9 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 365/13
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
  • 2 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 40112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
16+50.90 грн
50+42.12 грн
200+30.96 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.28 грн
2000+26.72 грн
3000+25.70 грн
5000+24.69 грн
7000+22.05 грн
10000+20.41 грн
25000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.63 грн
100+38.54 грн
500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.28 грн
2000+26.72 грн
3000+25.70 грн
5000+24.69 грн
7000+22.05 грн
10000+20.41 грн
25000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 40112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.12 грн
200+30.96 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.61 грн
225+63.01 грн
229+61.98 грн
232+59.17 грн
326+38.91 грн
569+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+55.97 грн
100+33.34 грн
500+26.23 грн
1000+22.99 грн
2000+20.30 грн
5000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.15 грн
2000+24.77 грн
3000+23.58 грн
5000+20.87 грн
7000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.07 грн
10+45.95 грн
100+30.41 грн
200+27.17 грн
250+26.18 грн
500+23.43 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 : BSP171P L6327 BSP171PInfineonTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327InfineonSOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP179H6327XTSA1 - BSP179 SIPMOS, SMALL SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
1000+50.51 грн
10000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Color: Red
Wire Gauge: 16-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1818-12H08BeStar ElectronicsCOO= CHINA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19NexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NXPSOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 91223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+46.88 грн
1000+43.23 грн
10000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.53 грн
20+41.16 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP19/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 91223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 350V .1A NPN BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]