Продукція > BSZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 69W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 9410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 52W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GXT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LS G Код товару: 177892
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ088N03LSG | Infineon Technologies | Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSG | infineon | 08+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03MS G | Infineon | QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ088N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NS | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 3226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 6324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 10145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0902NSI Код товару: 153067
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 3557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 17242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 14080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 5260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power-Transistor | на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power-Transistor | на замовлення 4678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WISON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R | на замовлення 6670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NS | Infineon | QFN | на замовлення 217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 9796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |