Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ088N03LS G
Код товару: 177892
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS GInfineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGinfineon08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineonQFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.32 грн
500+27.93 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+77.89 грн
100+60.58 грн
500+48.19 грн
1000+39.26 грн
2000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.04 грн
15+57.14 грн
100+40.32 грн
500+27.93 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
10+86.97 грн
100+57.87 грн
500+43.17 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.87 грн
500+43.17 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.33 грн
100+55.85 грн
500+41.35 грн
1000+37.79 грн
2000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.22 грн
100+56.99 грн
500+42.13 грн
1000+38.47 грн
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.12 грн
500+34.87 грн
1000+27.45 грн
5000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.22 грн
155+91.40 грн
185+76.80 грн
250+69.28 грн
500+57.79 грн
1000+48.91 грн
3000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.90 грн
10+95.22 грн
25+91.40 грн
100+74.06 грн
250+64.15 грн
500+55.47 грн
1000+48.91 грн
3000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
12+72.91 грн
100+48.12 грн
500+34.87 грн
1000+27.45 грн
5000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSI
Код товару: 153067
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon technologies
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.83 грн
500+28.30 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.47 грн
16+53.24 грн
100+39.83 грн
500+28.30 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.69 грн
500+21.21 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 34180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 14832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.23 грн
100+45.14 грн
500+33.06 грн
1000+30.06 грн
2000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.95 грн
249+56.86 грн
500+48.37 грн
1000+38.46 грн
5000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.59 грн
21+38.94 грн
100+28.69 грн
500+21.21 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.45 грн
10000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.89 грн
500+23.93 грн
1000+21.67 грн
5000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.88 грн
21+38.85 грн
100+30.89 грн
500+23.93 грн
1000+21.67 грн
5000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineonQFN
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
16+51.86 грн
100+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.40 грн
100+22.94 грн
500+16.48 грн
1000+14.86 грн
2000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.00 грн
42+17.96 грн
43+17.74 грн
100+15.98 грн
250+14.76 грн
500+13.45 грн
1000+13.07 грн
3000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.44 грн
816+17.35 грн
975+14.52 грн
1095+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+17.74 грн
854+16.57 грн
856+16.53 грн
902+15.13 грн
1000+13.61 грн
3000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.30 грн
10000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.98 грн
10000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.80 грн
25+33.65 грн
100+23.74 грн
500+16.15 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.29 грн
10000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.80 грн
33+23.20 грн
100+20.10 грн
250+18.43 грн
500+17.10 грн
1000+16.48 грн
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.74 грн
500+16.15 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+23.25 грн
675+20.96 грн
682+20.74 грн
707+19.29 грн
1000+17.19 грн
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.87 грн
23+36.33 грн
100+27.15 грн
500+18.19 грн
1000+13.03 грн
5000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]