Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB2030LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 30A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2030LA05Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 30A W/AUX SW 1A1B RH TERM L&L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2040Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 40A/250VDC MAX 10K/600VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2050Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 50A/250VDC MAX 10K/600VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2060Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 60A/250VDC MAX 10K/600VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2070Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 70A/250VDC MAX 10K/600VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2070S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 70A W/ST 48-127VAC OR 48-60VDC RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2080Eaton ElectricalCircuit Breakers TYPE FDB BREAKER 2 POLE 80 AMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2080LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 80A CKBR W/LINE & LOAD TERMINALS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2080N06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 80 A W/LST1RPK Low Energy ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2090Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 2P 90A/250VDC MAX 10K/600VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2090LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 90A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 13510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
10+221.83 грн
50+173.21 грн
100+147.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FonsemiMOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2100D01S1803Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A KPR S/T 37.5VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2100S23Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2100VA06H08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 100A 50 DEGREE W/AUX SW 1A1B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2125A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 2P 125A W/AUX SW 1A1B RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2150D22Eaton ElectricalCircuit Breakers FD2150 w/ line & line end cap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB24AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.88 грн
1600+127.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.62 грн
10+228.95 грн
25+203.79 грн
40+191.21 грн
50+185.34 грн
100+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.68 грн
1600+144.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532
Код товару: 61087
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.65 грн
57+249.20 грн
100+209.61 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
10+227.64 грн
100+162.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.68 грн
1600+144.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+505.84 грн
100+410.43 грн
250+400.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532-F085onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532_SB82254onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532_SN00096onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532_SN00238onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.97 грн
62+231.37 грн
63+227.27 грн
100+178.94 грн
250+164.42 грн
500+119.19 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ONS/FAIMOSFET N-Ch, 150V, 37A, D2PAK (TO-263AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+114.35 грн
100+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.97 грн
10+231.37 грн
25+227.27 грн
100+178.94 грн
250+164.42 грн
500+119.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ONN
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.65 грн
1600+64.59 грн
2400+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2570fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.59 грн
10+117.56 грн
25+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel UltraFET
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+96.16 грн
100+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614onsemiMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2670fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.50 грн
10+268.63 грн
100+195.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.13 грн
250+113.15 грн
800+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.80 грн
10+149.12 грн
25+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMONS/FAIMOSFET N-Ch, 300V, 28A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.46 грн
1600+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMonsemiMOSFETs 300V N-Channel
на замовлення 10769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.73 грн
4+135.86 грн
10+111.54 грн
20+103.15 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.43 грн
1600+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TMON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]