Продукція > FDB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB2090 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 2P 90A/250VDC MAX 10K/600VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2090L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 90A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 12108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100D01S1803 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A KPR S/T 37.5VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A TRIP, 600V CLASS, LINE&LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100S22 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100S23 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100S26 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/ST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100S30 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/ST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100V | Eaton Electrical | Circuit Breakers TYPE FDB 2P 100A BRK FOR 50C AMBIENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100VA06H08 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A 50 DEGREE W/AUX SW 1A1B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2100WD01 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/O TERM W/KPR1A L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2110 | Eaton Electrical | Circuit Breakers 2P FDB 110A 110/250VDC MAX 10K 600VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2110LA06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 110A W/AUX SW 1A1B RH TERM L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2125A06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 125A W/AUX SW 1A1B RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2125LS18 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 125A W/ST 12-24VAC/VDC RHTERM L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2125S22 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 125A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 150A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150B06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 150A W/AL SW 1A1B RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150D11 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 150A W/ LINE & LOAD END CAP KITS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150D22 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FD2150 w/ line & line end cap | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150H08 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 105 Amp Breaker W/Marine label | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2150L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 150A TRIP, 600V CLASS, LINE&LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 2143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532 Код товару: 61087
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2532_SB82254 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532_SN00096 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2532_SN00238 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552 | ONS/FAI | MOSFET N-Ch, 150V, 37A, D2PAK (TO-263AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2552-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2570 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | MOSFETs N-Channel UltraFET | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2572_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 260W Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 62A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2710 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 260W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 101nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 771 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB28N30TM | ONS/FAI | MOSFET N-Ch, 300V, 28A, D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 696 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm | на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |