Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.72 грн
12+73.73 грн
100+54.66 грн
500+44.71 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+144.36 грн
165+86.30 грн
203+69.86 грн
500+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.05 грн
10+77.61 грн
100+51.67 грн
500+38.04 грн
1000+34.68 грн
2000+31.85 грн
5000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+51.70 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES
Код товару: 99459
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товару немає в наявності
1+31.50 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.23 грн
84+168.98 грн
87+163.47 грн
90+153.10 грн
137+92.39 грн
250+87.81 грн
500+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.49 грн
10+92.35 грн
100+57.12 грн
500+55.09 грн
800+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.86 грн
10+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
50+78.19 грн
100+70.39 грн
500+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.98 грн
10+87.17 грн
100+71.93 грн
500+59.84 грн
1000+46.99 грн
5000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+81.91 грн
100+62.91 грн
250+62.84 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineonMOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120HARRISIRF120
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+203.18 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+152.20 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N
Код товару: 26596
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.00 грн
10+91.54 грн
100+71.22 грн
500+57.26 грн
1000+52.65 грн
2000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.75 грн
50+88.84 грн
100+83.33 грн
500+64.27 грн
1000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.03 грн
10+110.79 грн
100+99.39 грн
500+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.34 грн
131+108.24 грн
144+99.09 грн
500+71.94 грн
1000+65.95 грн
2000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.47 грн
50+80.40 грн
100+72.26 грн
500+54.42 грн
1000+50.11 грн
2000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.76 грн
500+104.19 грн
1000+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.39 грн
10+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
  • 149 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.86 грн
25+88.83 грн
100+66.15 грн
500+51.03 грн
1000+45.56 грн
2500+42.12 грн
5000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.33 грн
10+194.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+140.31 грн
168+84.55 грн
800+82.43 грн
1600+78.70 грн
2400+72.29 грн
4000+66.64 грн
5600+64.99 грн
8000+64.65 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.66 грн
10+134.91 грн
100+80.30 грн
500+61.24 грн
800+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]