Продукція > NVD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVD5C648NLT4GONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GonsemiMOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GONN
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+96.69 грн
100+76.97 грн
500+61.12 грн
1000+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+87.56 грн
100+69.64 грн
500+55.30 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GON SemiconductorMOSFET NFET 100V 23A 56MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01ONN
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GONN
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 19A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.20 грн
100+49.63 грн
500+36.71 грн
1000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.13 грн
5000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.07 грн
100+27.59 грн
250+25.13 грн
500+23.73 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.30 грн
500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
10+87.79 грн
100+64.30 грн
500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.29 грн
100+52.11 грн
500+38.78 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+97.74 грн
100+67.48 грн
500+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 90W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4GonsemiDescription: 8A, 90V, 0.031OHM, N-CHANNEL, M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD7NV04
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDAC64ST00+ QFP
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDAC64-17STQFP128
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDCK001KITKOA SpeerCircuit Protection Kits VARISTORS 127 values, 5 pcs ea
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-5
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-5
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVDD5894NLT4G - NVDD5894NLT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDIACK8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15 mohm, 61.3 A
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiDescription: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+122.05 грн
100+83.88 грн
500+63.40 грн
1000+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiDescription: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.97 грн
5000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120CONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120ConsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120ConsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 53A
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1543.33 грн
30+989.92 грн
120+985.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120CONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5