Продукція > PN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN2907 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP SS TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907A | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907A | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A Код товару: 170232
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Напруга Uке, V: 60 V Напруга Uкб, V: 60 V | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| PN2907A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 37500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=0.8A, P=625mW, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907A | Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO92 PNP 0.8A 60V Ge nPur | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A | VCC | PCN #505 OBSOLETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A | Rectron | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A AMO | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A AMO | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS SW WIDE PITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A APM PBFREE | Central Semiconductor | PN2907A APM PBFREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 8108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1477 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW | на замовлення 12689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT PNP SW 600MA 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A T/R | Bourns | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-AP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - PN2907A-AP - BJT, PNP, 60VDC, TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 600 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 60V | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT PNP 0.8A 60V Gen Pur | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907A-T | Rectron | PN2907A-T | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 29226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ABU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | на замовлення 53745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 20592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 16591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 18771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ABU | ONSEMI | Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ADZ | на замовлення 799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907AG | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AGSOT-89T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AGTO-92 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AGTO-92T/B | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AJ05ZSPECFLOW | Fairchild | на замовлення 20965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PN2907AL-AB | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907AL-AB3-R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ALSOT-89T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ALTO-92 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ALTO-92T/B | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ANLBU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ARA | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Power - Max: 625mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ARLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ARLRAG | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ARLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907AT93 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ATA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | ONSEMI | Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung Pd: 625 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATA | Fairchild | на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PN2907ATA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | ONSEMI | Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | на замовлення 16420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATA | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 43668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | на замовлення 11917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ONSEMI | Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATAR | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2907ATF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATF | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 26796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ONSEMI | Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATF | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 6910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 18952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PN2907ATF | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATFR | On Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PN2907ATFR | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Frequency: 200MHz Current gain: 100...300 Kind of package: reel; tape | на замовлення 1859 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

