Продукція > RF4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.83 грн
425+33.35 грн
426+33.24 грн
505+27.05 грн
1000+23.68 грн
2000+22.63 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.90 грн
298+47.62 грн
500+37.90 грн
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.57 грн
355+39.90 грн
500+38.46 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.14 грн
100+40.48 грн
500+29.68 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+46.86 грн
304+46.67 грн
500+37.72 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.80 грн
100+41.62 грн
500+30.54 грн
1000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.89 грн
284+49.80 грн
500+48.01 грн
1000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.91 грн
6000+24.04 грн
9000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 5.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 N-CH 60V 7A
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.14 грн
100+40.48 грн
500+29.68 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L10700CB4STMicroelectronicsDescription: RF MOSFET LDMOS 40V D4E
Packaging: Bulk
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 40 V
Voltage - Rated: 90 V
Supplier Device Package: D4E
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 700W
Frequency: 1GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: D4E
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L10700CB4STMicroelectronicsTrans RF MOSFET 90V 5-Pin Case D4E Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L10700CB4STMicroelectronicsRF MOSFET Transistors 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L15400CB4STMicroelectronicsRF MOSFET Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4M096000S300TGSDescription: OSC 4.096MHZ 3.3V HCMOS/15PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Tri-State (Output Enable)
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 4.096 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+103.72 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.29 грн
100+32.30 грн
500+23.46 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRROHMDescription: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCRRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.04 грн
100+32.83 грн
500+23.87 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.