Продукція > SI6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI6943DQ-TI | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6946 | SILICONIX | на замовлення 615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6946DQ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si6946DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6946DQ-TI | SILICONIX | TSSOP8 | на замовлення 2123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6953DQ | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6953DQ-T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si6953DQ-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954 | SILICONIX | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6954AD | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6954ADQ | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY | на замовлення 17390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 | на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 21145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6954ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 9919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 | на замовлення 99688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6954ADY | VISHAY | 2005 SOP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6954DQ-T1 | VISHAY | SOP-8 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6954DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6955 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6955ADQ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6955ADQ-T1 | на замовлення 10240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si6955ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6955ADQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6955ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6955DQ | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 8528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6955DQ 955 | VISHAY | 09+ TSSOP-8 | на замовлення 3350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6955DQ-T1 | VISHAY | на замовлення 171200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| Si6955DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6956 | SILICONIX | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6956DQ | SI | 07+ SSOP8 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6956DQ-T1 | SILICONIX | 96 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6956DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963 | SILICONIX | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6963BDQ | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 2502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963DQ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8TSSOP Packaging: Bulk Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6963DQ | ONSEMI | Description: ONSEMI - SI6963DQ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1457 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963DQ 963 | VISHAY | 09+ TSSOP-8 | на замовлення 9300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963DQ-T | SI | 1998 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963DQ-T1 | 9927+ | на замовлення 47455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| Si6963DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6963DQ-T1SOP-8 | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6963EDQ | на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6965DQ | VISHAY | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6965DQ-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si6965DQ-T1-E3 | VISHAY | TSSOP-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966 | SILICONIX | на замовлення 662 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6966DFFR | Vishay | Vishay 6966-TNCE02-2 DIE ON EXPANDED FOIL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ | VISHAY | на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6966DQ | onsemi / Fairchild | MOSFET TSSOP8 DUAL NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1 | SILICON | 04+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1-E3 | VISHAY | TSSOP-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966DQ-T6 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V, N-CH, 30Mohm, 32M CELL TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966EDQ-T1 | на замовлення 77520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6966EDQ-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966EDQ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966EDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966EDQ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6966EDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6967DQ | VISHAY | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6967DQ-1Y | на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6967DQ-T1 | SI | 09+ | на замовлення 26018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6967DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6967DQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6967DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6967DQ-T1SOP-8 | VISHAY | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6967DYQ | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6967DYQ SSOP-8 | VISHAY | на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6967DYQSSOP-8 | VISHAY | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6968 | GENERAL | 2000 SOP | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6968-5300 | GS | 0252+ TSSOP8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6968ADQ | VISHAY | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6968ADQ-T1 | SI | 2 SSOP-8 | на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si6968ADQ-T1-E3 | VISHAY | 07+ TSSOP-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI6968AEDQ | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6968BEDQ | Siliconix | 2x N-MOSFET 5.2A 20V 1W 0.0022Ω SI6968BEDQ TSI6968bedq кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 64 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI6968BEDQ-5A | на замовлення 370889 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6968BEDQ-5C(6968 | на замовлення 7082 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1 | VISHAY | на замовлення 69200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI6968BEDQ-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-E3 - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 5.2A, TSSOP-8 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 5.2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1 Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 600 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

