Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.49 грн
500+38.04 грн
1500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.12 грн
100+49.76 грн
500+36.90 грн
1000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 336474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.42 грн
10+70.75 грн
100+47.86 грн
250+47.80 грн
500+37.83 грн
1000+33.09 грн
3000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
50+74.38 грн
100+53.49 грн
500+38.04 грн
1500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.91 грн
6000+29.55 грн
9000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 16661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.50 грн
10+94.55 грн
100+56.30 грн
500+45.29 грн
1000+41.73 грн
3000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.99 грн
500+51.70 грн
1000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.50 грн
100+58.54 грн
500+43.70 грн
1000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
12+72.26 грн
100+69.99 грн
500+51.70 грн
1000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
50+93.48 грн
100+65.76 грн
500+48.53 грн
1500+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.43 грн
6000+36.39 грн
9000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+77.64 грн
100+48.14 грн
500+39.99 грн
1000+36.93 грн
3000+36.86 грн
6000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.91 грн
500+44.00 грн
1500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.22 грн
100+60.35 грн
500+45.02 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 11677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.42 грн
10+67.86 грн
100+40.20 грн
500+31.91 грн
1000+29.19 грн
3000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.92 грн
50+71.37 грн
100+50.15 грн
500+37.29 грн
1500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.50 грн
6000+28.23 грн
9000+27.16 грн
15000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.15 грн
500+37.29 грн
1500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 18566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.86 грн
100+48.02 грн
500+35.47 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.02 грн
500+42.12 грн
1000+36.02 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+82.12 грн
100+63.85 грн
500+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.91 грн
6000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+102.42 грн
100+68.85 грн
500+50.80 грн
1000+43.41 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.31 грн
6000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+90.54 грн
100+52.88 грн
500+42.01 грн
1000+38.88 грн
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.88 грн
500+48.16 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.76 грн
500+44.65 грн
1000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.99 грн
10+92.94 грн
100+54.97 грн
500+43.75 грн
1000+40.90 грн
3000+35.53 грн
6000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+101.61 грн
100+70.88 грн
500+48.16 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-21C/TR8EVERLIGH2010+ LED
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 37128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+27.63 грн
100+20.00 грн
500+15.56 грн
1000+14.51 грн
2000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.22 грн
8000+13.00 грн
12000+12.65 грн
20000+11.50 грн
28000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-315
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-315/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 870NM 70MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 870nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Viewing Angle: 140°
Current - DC Forward (If) (Max): 70mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR19-315/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1B6B4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1B6B4Littelfuse Inc.Description: SSR RELAY SPST-NC 6A 0-120V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 150VAC/DC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Load Current: 6 A
Approval Agency: UR
Voltage - Load: 0 V ~ 120 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5347.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1C20B6LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2N/A09+ SOP8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204-AEverlightInfrared Emitters Infrared LED Lamp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204-AEVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 3mm; blue; 30°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 4mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 3mm
LED lens: blue
Viewing angle: 30°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 4mW/sr
Operating voltage: 1.3V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204-A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+27.70 грн
100+20.08 грн
500+15.62 грн
1000+14.56 грн
2000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR204CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2167
на замовлення 12060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR234Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR234EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR25-15-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+109133.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR25-15-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113617.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2A20A4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8530.81 грн
10+7735.10 грн
25+6330.44 грн
50+6002.28 грн
100+5796.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2A20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2B20A4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7682.20 грн
25+6582.93 грн
50+5584.94 грн
100+5456.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2B20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2B20B4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR2B20B4Littelfuse Inc.Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR300B
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR312-24VDCELESTA RelaysPCB Power Relay
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+2703.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR312-24VDCELESTA RelaysPCB Power Relay
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+2688.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR3123
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR312P-24VDCELESTA RelaysPCB relay with forcibly guided contacts
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+3209.34 грн
100+2711.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR312P-24VDCELESTA RelaysPCB relay with forcibly guided contacts
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+3565.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR314M200S043NextGen ComponentsDescription: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 314.2 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR315M000S041NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR315M000S042NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Frequency Tolerance: ±75kHz
Height: 0.059" (1.50mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: SAW
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 315 MHz
Impedance: 50 Ohms
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR315M000S043NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR315M050S042NextGen ComponentsDescription: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.05 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR315M500S042NextGen ComponentsDescription: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.5 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR318M000S041NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR318M000S042NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR323-5Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 35°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEVERLIGHT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 7.8mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Operating voltage: 1.3V
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 7.8mW/sr
LED diameter: 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-A/TR1(R)EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; 20mA; 7.8mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
LED current: 20mA
radiant intensity: 7.8mW/sr
LED diameter: 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19-R11EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Operating voltage: 1.3...1.6V DC
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 20mW/sr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 15°
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11EverlightInfrared Emitters
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11 S7440EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Operating voltage: 1.3...1.6V DC
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 20mW/sr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333CEverlightInfrared Emitters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]