Продукція > SQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQD50P06-15L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.13 грн
7500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.88 грн
50+74.87 грн
100+63.00 грн
500+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_T4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P08-25L"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 50A, TO-252AA
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 7848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3Vishay SiliconixSQD50P08-25L_GE3 MOSFET P-CHAN 80V TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+159.94 грн
100+111.47 грн
500+85.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28-T4_GE3Vishay / SiliconixMOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28-T4_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+159.94 грн
100+111.47 грн
500+85.17 грн
1000+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD65BA78
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD65BB75SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD70140EL"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 20AC3979
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.22 грн
10+79.00 грн
25+77.60 грн
50+74.12 грн
100+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.91 грн
50+57.77 грн
100+48.41 грн
500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70AB90SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70BB90SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9M4L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+162.35 грн
100+113.12 грн
500+86.44 грн
1000+80.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04-9m4L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD90P04_9M4LT4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6m3L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+91.78 грн
100+67.77 грн
500+50.91 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6m3L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6m3L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 60424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-02PADM-BNA001Amphenol LTWLiquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQDB02 (Blind Mating), Plug, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-02PADM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-02PADM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/16"-20 UNF-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 7/16"-20 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN03
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-02SAEM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-02SAEM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 9/16"-18 UNF-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 9/16"-18 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN03
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-04PAEM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-04PAEM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 9/16"-18 UNF-Außengewinde, DN05
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 9/16"-18 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN05
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-04SAFM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-04SAFM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 3/4"-16 UNF-Außengewinde, DN05
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 3/4"-16 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN05
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-06PAFM-BNA001Amphenol LTWLiquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQDB06 (Blind Mating), Plug, 3/4 inch - 16 UNF, Push Pull
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-06PAFM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-06PAFM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 3/4"-16 UNF-Außengewinde, DN07
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 3/4"-16 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN07
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-06SAGM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-06SAGM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/8"-14 UNF-Außengewinde, DN07
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 7/8"-14 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN07
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-08PAGM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-08PAGM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/8"-14 UNF-Außengewinde, DN10
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 7/8"-14 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN10
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQDB-08SAMM-BNA001AMPHENOL LTWDescription: AMPHENOL LTW - SQDB-08SAMM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 1-1/16"-12 UNF-Außengewinde, DN10
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 1-1/16"-12 UNF, Außengewinde
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennweite: DN10
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.