Продукція > UT6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UT6KC5TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
210+24.84 грн
300+19.46 грн
500+18.70 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1924+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.31 грн
100+73.82 грн
500+55.41 грн
1000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.51 грн
10+91.24 грн
25+90.32 грн
50+73.92 грн
100+60.94 грн
250+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.51 грн
156+91.24 грн
157+90.32 грн
185+73.92 грн
208+60.94 грн
250+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.33 грн
430+32.95 грн
500+31.77 грн
1000+29.63 грн
2500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
6000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.38 грн
16+47.79 грн
50+41.43 грн
100+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.21 грн
100+26.81 грн
500+19.34 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 37467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
50+29.63 грн
100+24.58 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR
Код товару: 184866
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.86 грн
334+42.36 грн
405+34.99 грн
584+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 7586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.78 грн
15+53.86 грн
50+42.36 грн
100+33.74 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.26 грн
9000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.90 грн
11+72.04 грн
50+57.67 грн
100+49.27 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 5436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.23 грн
100+39.85 грн
500+29.19 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.90 грн
197+72.04 грн
246+57.67 грн
277+49.27 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.53 грн
100+34.55 грн
500+25.17 грн
1000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.70 грн
232+60.97 грн
282+50.27 грн
324+42.16 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.70 грн
13+60.97 грн
50+50.27 грн
100+42.16 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.73 грн
231+61.48 грн
278+51.06 грн
328+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.30 грн
344+41.21 грн
500+36.04 грн
1000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 60V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.53 грн
100+34.55 грн
500+25.17 грн
1000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 60V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.73 грн
13+61.48 грн
50+51.06 грн
100+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.48 грн
6000+13.56 грн
9000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1A 8-Pin HUML
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.42 грн
25+20.02 грн
100+16.30 грн
250+15.11 грн
500+14.40 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6R2392TTGEABBMeter Sockets HORIZ MTRG 6-200A 4-TRM 2-LRG HBOPN CTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.