Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF720PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF720PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720S Код товару: 40820
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF720S | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF720SPBF | на замовлення 59800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF720SPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF720SPBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF720STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720STRLPBF | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720STRPBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF720STRPBF | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF720STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 400V 3.3 Amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF720STRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF721 | Samsung | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7210 Код товару: 86648
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7210HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210PBF | Infineon / IR | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 212nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF721R | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220 | International Rectifier | P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7220 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = -14, Id = 11, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 8075 @ -10, Qg, нКл = 84, Rds = 8,2 мОм, Tексп, °C = -55...+170, Ugs(th) = -0,6 В,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220 | International Rectifier | Силовой MOSFET P-кан., -14V, 0.012Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220GTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220PBF | Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 14 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220TRPBF | International Rectifier | MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220TRPBF Код товару: 112483
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 14 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8075/84 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7220TRPBF | IR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7223 | IR | 02+ 8PIN-SOP | на замовлення 929 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF723 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 79897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7233 | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233 | IOR | 09+ SO-8 | на замовлення 121473 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233<94-3291> | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7233HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233PBF | Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233TR | IOR | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7233TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7233TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240 | International Rectifier | (MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = -10,5, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -2 В,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240PBF Код товару: 22230
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7240PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7240PBF - P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 249 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 6741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V | на замовлення 15571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -10.5A 15mOhm 73nC | на замовлення 15143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = 10,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = -2 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 6653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7240TRPBF IRF7240PBF | International Rectifier | (MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241PBF | Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 41mOhms 53nC | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241PBF Код товару: 144674
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7241TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241TR | International Rectifier | P-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH, Udss=-40V, Id=-6.2A, SO-8, -55...+150 Транзистори | на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC | на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

