Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.08 грн
50+168.41 грн
100+153.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 159 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+360.00 грн
10+183.75 грн
100+145.12 грн
500+119.47 грн
1000+115.07 грн
2500+110.67 грн
5000+109.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+180.61 грн
250+165.84 грн
500+155.12 грн
750+141.83 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-08ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 698 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+246.27 грн
10+142.45 грн
100+95.28 грн
500+78.42 грн
1000+74.76 грн
5000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 927 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 68 V, 8.2 mOhm typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
Код товару: 140338
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 96A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70G6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06
Код товару: 188620
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L06
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.50 грн
10+255.82 грн
100+156.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04
Код товару: 165445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+373.68 грн
10+241.07 грн
100+156.85 грн
500+131.20 грн
1000+124.60 грн
5000+115.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+105.87 грн
10+94.29 грн
50+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.50 грн
56+255.82 грн
100+156.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04 STMicroelectronicsSTTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 TSTP80NF03L-04
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055-06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055L
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06
Код товару: 62111
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3850/115
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STM(MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+165.05 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.02 грн
9+105.04 грн
25+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10
Код товару: 33804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/140
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 8713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+296.72 грн
10+148.35 грн
100+116.54 грн
500+96.02 грн
1000+95.28 грн
2000+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.69 грн
10+168.08 грн
50+130.02 грн
100+110.50 грн
500+90.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n50)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+239.43 грн
10+118.00 грн
100+92.35 грн
500+74.76 грн
1000+70.58 грн
5000+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.67 грн
10+134.74 грн
50+103.32 грн
100+87.45 грн
500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTN-MOSFET 38A 100V 300W 0.015Ω STP80NF10FP TSTP80NF10fp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 203898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.44 грн
159+90.15 грн
160+89.24 грн
162+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.76 грн
4+177.00 грн
10+155.50 грн
25+124.89 грн
50+102.56 грн
100+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMTO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FP
Код товару: 113719
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 203900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.82 грн
10+90.46 грн
50+89.56 грн
100+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMMOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+109.64 грн
132+108.54 грн
144+99.78 грн
500+93.45 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+92.15 грн
157+91.23 грн
165+86.81 грн
500+79.17 грн
1000+72.57 грн
2000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.83 грн
5+108.35 грн
10+95.94 грн
50+76.09 грн
100+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.