Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 49 50 51 52 53 54
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK9Y72-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R0-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R0-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 238.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238.4W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R0-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.06 грн
10+177.83 грн
50+118.74 грн
100+107.69 грн
1500+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R0-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+154.51 грн
50+118.73 грн
100+100.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R0-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.03 грн
10+176.38 грн
100+109.53 грн
500+86.00 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+85.03 грн
100+57.23 грн
500+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60RAXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+59.23 грн
25+53.49 грн
100+44.36 грн
250+41.56 грн
500+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60RAXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R2-60RAXNexperiaMOSFETs BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+53.23 грн
500+42.18 грн
1000+36.86 грн
1500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.98 грн
100+45.34 грн
500+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
на замовлення 5147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.09 грн
100+35.80 грн
500+27.20 грн
1500+25.54 грн
3000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.01 грн
14+57.45 грн
25+57.07 грн
100+46.36 грн
250+42.59 грн
500+36.13 грн
1000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaMOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R6-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y7R8-80E,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.72 грн
500+72.49 грн
1000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 80V
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+88.12 грн
100+67.10 грн
500+56.95 грн
1000+48.81 грн
1500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.60 грн
10+134.50 грн
100+92.62 грн
500+68.36 грн
1000+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+137.98 грн
50+105.21 грн
100+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Power dissipation: 238W
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.7nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 423A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.77 грн
10+90.93 грн
25+90.02 грн
100+73.76 грн
250+67.80 грн
500+58.63 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+75.72 грн
500+72.49 грн
1000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R5-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+69.55 грн
100+54.09 грн
500+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.00 грн
3000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+78.44 грн
100+47.56 грн
500+38.59 грн
1500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+79.98 грн
100+55.73 грн
500+41.96 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+142.32 грн
100+114.42 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 110A
на замовлення 7159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+105.59 грн
100+62.34 грн
500+50.19 грн
1000+44.94 грн
1500+42.94 грн
9000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+65.36 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+117.27 грн
100+93.29 грн
500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R8-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
10+127.25 грн
100+87.79 грн
500+65.36 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y98-80E,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y9R9-80E,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 49 50 51 52 53 54