Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF730ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
50+103.26 грн
100+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.31 грн
500+71.64 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.47 грн
10+110.82 грн
100+87.28 грн
500+73.32 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.81 грн
10+105.91 грн
100+95.31 грн
500+71.64 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
10+134.73 грн
100+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.47 грн
10+145.35 грн
100+87.28 грн
500+66.69 грн
800+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF730B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BFairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 464989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
10000+32.33 грн
100000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BFairchild/ON SemiconductorN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=5.5A@T=25C, Id=3.5A@T=100C, Rds=0.83 Ohm, P=73W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730Bonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 465585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.60 грн
10+82.71 грн
100+47.20 грн
500+38.13 грн
1000+32.40 грн
2000+30.31 грн
5000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730FSamsung
на замовлення 17160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 5,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 3,3 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: T0-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.19 грн
10+120.84 грн
100+109.11 грн
500+85.24 грн
1000+72.82 грн
2000+65.00 грн
5000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF
Код товару: 123226
1 Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
у наявності: 123 шт
  • 104 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.96 грн
10+86.51 грн
100+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF(MFET,N-CH,74W,400V,5.5A,TO220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 15866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
50+83.32 грн
100+74.85 грн
500+56.32 грн
1000+51.85 грн
2000+48.09 грн
5000+43.30 грн
10000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.81 грн
10+92.06 грн
100+83.09 грн
500+61.95 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.61 грн
10+70.86 грн
50+64.55 грн
100+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.36 грн
132+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF
Код товару: 106889
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFIRF730PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 97 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+77.33 грн
100+57.26 грн
500+47.83 грн
1000+42.80 грн
2000+40.01 грн
5000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.43 грн
131+108.74 грн
500+88.10 грн
1000+78.39 грн
2000+67.48 грн
5000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.92 грн
10+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
50+83.32 грн
100+74.85 грн
500+56.32 грн
1000+51.85 грн
2000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF730PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 5.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.01 грн
12+73.32 грн
25+69.41 грн
50+60.74 грн
100+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+70.42 грн
100+50.49 грн
500+43.29 грн
1000+40.01 грн
2000+37.99 грн
5000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF/IRIR08+;
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730R4587HARRISIRF730R4587
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730R4587Harris CorporationDescription: 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFСиловой MOSFET N-кан., 400V, 5.5A, 1.0Ом, -55...+150, SMD-220 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 5.5 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFIRF730SPBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 5.5 Amp
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.99 грн
10+149.36 грн
100+90.08 грн
500+69.06 грн
800+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
10+138.89 грн
100+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBF
Код товару: 104530
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBF
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730UHARRISIRF730U
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730UHarris CorporationDescription: 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731HARRISIRF731
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731HARRISIRF731
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311International Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=6.6A@t=25C, 5.3A@t=70C, Rds=0.023 R@Vgs=4.5V, P=2.0W, -55 to +150C), smd.... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311InfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.04 грн
36+21.17 грн
100+14.84 грн
500+13.76 грн
1000+12.23 грн
2500+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBF_1
Код товару: 22640
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 6,6 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+20.00 грн
10+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRIRC07+;
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF
Код товару: 107584
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 32 шт
  • 12 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.00 грн
10+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFChina replicaSOIC-8 Транзистори
на замовлення 225 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFTECH PUBLICSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInternational RectifierSOIC-8 Транзистори
на замовлення 208 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.87 грн
10+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]