Продукція > SI4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4833ADY | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4833ADY-T1 | Vishay | 09+ | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833ADY-T1-E3 | на замовлення 13418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4833ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833ADYT1E3 | VISHAY | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4833BDY-T1-E3 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4833BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833DY | VISHAY | 09+ | на замовлення 11268 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833DY-T1 | VISHAY | 2004 | на замовлення 17523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833DYT1 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4833DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4834 | SI | SOP-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834-A20-GU | Skyworks Solutions Inc. | Description: RF RECEIVER AM/FM/SW 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834B | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4834BDY | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-T1 | VISHAY | 0439+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834BDYT1E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4834CDY | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4834CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Power - Max: 2.9W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834CDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834CDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.9W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DY | Vishay / Siliconix | Skyworks | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DY | VISHAY | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DY-T | на замовлення 2956 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4834DY-T1 | VISHAY | 2002 | на замовлення 166060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DY-T1-REVA | VISHAY | 0510+ | на замовлення 114128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4834DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835 | SI | SOP-8 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-5 | на замовлення 61335 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835-B30-GU | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-B30-GU | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/stereo | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-B30-GU | Skyworks Solutions Inc. | Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP Part Status: Active Supplier Device Package: 24-SSOP Antenna Connector: PCB, Surface Mount Current - Receiving: 21.5mA Applications: General Purpose Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C Data Interface: PCB, Surface Mount Modulation or Protocol: AM, FM, SW Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 5.6MHz ~ 22MHz, 64MHz ~ 109MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835-B30-GU | Silicon Labs | SSOP 24/?20 TO 85°/ENHANCED AM/FM/SW RX FOR MECHANICAL TUNED RADIOS SI4835 кількість в упаковці: 56 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-B30-GU Код товару: 129578
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835-B30-GUR | Skyworks Solutions Inc. | Description: RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 504kHz ~ 1.75MHz, 5.6MHz ~ 22MHz, 64MHz ~ 109MHz Modulation or Protocol: AM, FM, SW Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 95°C Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V Applications: General Purpose Current - Receiving: 21.5mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 24-SSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-B30-GUR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/stereo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-DEMO | Silicon Labs | RF Development Tools Consumer Electronics AM/FM/SW EVB, 24p SSOP, Use for Si4831 or Si4835 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835-DEMO | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Si4835 Frequency: 64MHz ~ 108MHz Type: Tuner Contents: Board(s) Utilized IC / Part: Si4835 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835B | на замовлення 363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835BDY | на замовлення 7852 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835BDY | Vishay / Siliconix | MOSFETs OBSOLETE - USE SI4835DDY-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SI4835DDY-T1-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SI4835DDY-T1-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1 | Vishay | 09+ | на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 Код товару: 27600
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4835DDY-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | VISHAY | 0702+ | на замовлення 1162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835BDY-TI | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835BDYT1 | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835BDYT1E3 | VISHAY | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835DDY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835DDY Код товару: 101041
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Id, А: 13 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом Монтаж: SMD | у наявності: 13 шт
|
| ||||||||||||
| SI4835DDY-E3 | на замовлення 58588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835DDY-T-E3 | на замовлення 751 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Siliconix | P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 5849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 15, Qg, нКл = 65 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 5,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1433 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V | на замовлення 4728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V | на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 298 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 298 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 2518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DDYT1E3 | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835DY | FAIRCHILD | SI4835DY | на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DY | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DY | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DY | ONSEMI | Description: ONSEMI - SI4835DY - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1165 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DY | FAIRCHILD | SI4835DY | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI4835DY-T | на замовлення 729 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835DY-T1 | VISHAY | 0433+ | на замовлення 57500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DYBDY-T1-E3 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4835DYT1 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4835DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4835P | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

