Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFСиловой MOSFET N-кан., 400V, 5.5A, 1.0Ом, -55...+150, SMD-220 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.36 грн
10+142.56 грн
100+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBF
Код товару: 104530
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 5.5 Amp
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBF
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730UHarris CorporationDescription: 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730UHARRISIRF730U
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731HARRISIRF731
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731HARRISIRF731
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
1000+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF731Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311International Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=6.6A@t=25C, 5.3A@t=70C, Rds=0.023 R@Vgs=4.5V, P=2.0W, -55 to +150C), smd.... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311InfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.88 грн
36+21.07 грн
100+14.77 грн
500+13.70 грн
1000+12.18 грн
2500+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311PBF_1
Код товару: 22640
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 6,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20 грн
2+19.00 грн
10+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRIRC07+;
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFTYSSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFChina replicaSOIC-8 Транзистори
на замовлення 225 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF
Код товару: 107584
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 32 шт
  • 12 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.00 грн
10+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFTECH PUBLICSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInternational RectifierSOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313IOR09+ SO-8
на замовлення 44337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBF
Код товару: 122873
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+26.89 грн
190+23.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.50 грн
8000+17.39 грн
12000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFIRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.69 грн
280+50.46 грн
500+39.16 грн
1000+34.25 грн
2000+28.98 грн
4000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.69 грн
100+50.46 грн
500+39.16 грн
1000+34.25 грн
2000+28.98 грн
4000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.99 грн
10+47.60 грн
100+31.13 грн
500+22.59 грн
1000+20.45 грн
2000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
12+37.32 грн
100+30.04 грн
250+28.37 грн
500+27.28 грн
1000+26.36 грн
2000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF
Код товару: 23579
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 229 шт
  • 163 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 31 шт
  • 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+23.00 грн
10+20.70 грн
100+18.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.99 грн
10+47.60 грн
100+31.13 грн
500+22.59 грн
1000+20.45 грн
2000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.36 грн
8000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.97 грн
8000+16.91 грн
12000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 7853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.36 грн
8000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314
Код товару: 11411
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 780/19
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314International Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF
Код товару: 36431
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.40 грн
100+9.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.35 грн
21+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314QIRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314STR
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRJSMicro SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR JSMICRO TIRF7314 JSM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRInfineon2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+309.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]