Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP9N50FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+63.86 грн
10+52.21 грн
50+41.34 грн
100+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+329.68 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N850
Код товару: 23836
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N850FP
Код товару: 23837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9N850FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NA50
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NA50FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50STM(Аналог MTP8N50E) N-кан. MOSFET 500V, 8.6A, 0.75Ом, 125Вт, TO-220 (PowerMesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50STTO-220
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50 (діод)
Код товару: 51388
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50FP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50FPSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50FP
Код товару: 184722
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 4,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1250/32
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 11 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+122.00 грн
10+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB50FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB60
на замовлення 11855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB60FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB65
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NB80FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60STMN-кан. MOSFET 600V, 9A, 0.6Ом, -55...+150, TO-220 (PowerMESH II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60STTO-220
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60FPSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60Z
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC60ZFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NC65FP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.47 грн
176+80.02 грн
500+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.70 грн
50+116.82 грн
100+105.59 грн
500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP9NK50Z TSTP9NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.92 грн
10+82.30 грн
100+79.87 грн
500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.12 грн
5+112.01 грн
10+102.12 грн
25+90.59 грн
50+84.01 грн
100+79.06 грн
200+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.92 грн
2000+101.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMN-кан. MOSFET 500V, 7.2A, 0.72Ом, 110Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50Z
Код товару: 888
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 7,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 910/32
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTN-MOSFET 7,2A 50OV 30W STP9NK50ZFP TSTP9NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFP
Код товару: 107814
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 7,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 910/32
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 144 шт
  • 121 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 22765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.04 грн
10+100.16 грн
100+93.11 грн
500+80.16 грн
1000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP9NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.59 грн
50+94.40 грн
100+85.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 22765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+99.98 грн
152+92.93 грн
500+82.97 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMN-кан. MOSFET 500V, 7.2A, 0.72Ом, 30Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK50ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.39 грн
5+130.95 грн
10+112.83 грн
25+89.77 грн
50+76.59 грн
100+70.00 грн
200+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60FP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.51 грн
168+83.77 грн
500+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.31 грн
50+119.54 грн
100+108.11 грн
500+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMMOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.66 грн
10+87.34 грн
100+83.61 грн
500+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.92 грн
5+137.54 грн
10+123.54 грн
30+102.95 грн
50+94.71 грн
100+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTN-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 7.0Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFDFP
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFP
Код товару: 129720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.62 грн
142+99.57 грн
157+89.62 грн
500+69.89 грн
1000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTN-MOSFET 7A 600V 30W STP9NK60ZFP TSTP9NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.69 грн
10+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP9NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.58 грн
50+99.55 грн
100+89.60 грн
500+69.88 грн
1000+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.18 грн
50+76.84 грн
100+68.95 грн
500+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK60ZFPSTMMOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.03 грн
10+91.60 грн
100+83.44 грн
500+76.97 грн
1000+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65Z
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.13 грн
170+83.01 грн
500+79.41 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 25.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.00 грн
25+62.59 грн
100+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 37892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 25.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.62 грн
10+88.12 грн
25+77.42 грн
50+70.83 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.46 грн
2000+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP9NK65ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]