Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFJSMSEMIСдвоенный HEXFET SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316
Код товару: 3743
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 710/23
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 209 шт
  • 196 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
10+84.50 грн
100+56.52 грн
500+41.77 грн
1000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBF
Код товару: 20388
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7316PBF - IRF7316 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+24.99 грн
190+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRJSMSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR JSMICRO TIRF7316 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRHXY MOSFETTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 85mOhm; 5,3A; 2,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR HXY MOSFET TIRF7316 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRInfineon2xP-MOSFET 4.9A 30V 2W 0.058Ω IRF7316 smd TIRF7316
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR CHIPNOBO TIRF7316 CNB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.52 грн
17+46.69 грн
100+39.81 грн
500+34.20 грн
1000+30.21 грн
2000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.24 грн
10+69.03 грн
50+48.28 грн
100+42.09 грн
200+37.24 грн
250+35.90 грн
500+32.63 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.06 грн
8000+30.58 грн
12000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
10+81.84 грн
100+57.96 грн
500+45.02 грн
1000+38.36 грн
2000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 11713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.04 грн
10+78.93 грн
100+52.59 грн
500+38.75 грн
1000+35.34 грн
2000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFMOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.59 грн
173+81.84 грн
244+57.96 грн
500+45.02 грн
1000+38.36 грн
2000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317International Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = -20, Id = 6,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 900 @ 15 & 470 @ -17, Qg, нКл = 28, Rds = 0,023 & 0,049 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 & -0,7 В,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317
Код товару: 52700
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF
Код товару: 150905
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = -20, Id = 6,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 900 @ 15, Qg, нКл = 28, Rds = 0,023 & 0,049 Ом, Ugs(th) = 0,7 & -0,7 В, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRJSMicro SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 31mOhm/48mOhm; 8A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7317; IRF7317TR; SP001572018; SP001554184; IRF7317TR JSMICRO TIRF7317 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRInternational RectifierTransistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFTYSSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.17 грн
143+98.78 грн
200+84.01 грн
500+63.96 грн
1000+58.21 грн
4000+52.17 грн
8000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFChina replicaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFJSMSEMISOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInternational RectifierSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.83 грн
159+89.01 грн
227+62.27 грн
500+47.99 грн
1000+40.51 грн
2000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF
Код товару: 41839
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Примітка: N+P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+24.99 грн
190+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 58mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBF
Код товару: 24016
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 6,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 73 шт
  • 36 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7319PBF - IRF7319 - 20V-60V COMPLEMENTARY MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/70mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR HXY MOSFET TIRF7319 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRJGSEMITransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRIR
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRJGSEMITransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TR-MLMOSLEADERTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm/65mOhm; 8A/6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR-ML MOSLEADER TIRF7319 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRBBFInfineonTransistor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7319TR; IRF7319; IRF7319-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; IRF7319TR TIRF7319
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.15 грн
8000+26.18 грн
12000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.23 грн
100+77.00 грн
500+61.13 грн
1000+53.91 грн
2000+45.95 грн
4000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF
Код товару: 112886
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.21 грн
184+76.98 грн
500+61.12 грн
1000+53.90 грн
2000+45.94 грн
4000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.40 грн
10+69.21 грн
100+46.09 грн
500+33.96 грн
1000+30.97 грн
2000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+59.47 грн
1000+54.85 грн
10000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBFInternational RectifierСборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 210 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]