Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC3645S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3645S-TD-E - 2SC3645 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3645T-TD-EonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3645T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3645T-TD-E - 2SC3645 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 160V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3645T-TD/CA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646onsemionsemi BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646KEXIN09+
на замовлення 400018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646-S-TD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646-T-TD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646SSANYOSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 1109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E
Код товару: 172099
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.17 грн
13+33.40 грн
100+22.19 грн
250+19.11 грн
500+17.20 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.89 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.50 грн
100+25.38 грн
500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.18 грн
30+25.65 грн
100+21.59 грн
250+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.09 грн
10+33.58 грн
100+19.33 грн
500+18.92 грн
1000+17.05 грн
2000+13.32 грн
10000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.99 грн
22+36.73 грн
100+24.89 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.77 грн
9000+18.99 грн
18000+17.66 грн
27000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.73 грн
2000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-EON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TDCBS7CSANYOSOT-89
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-P-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646T-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TDSANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.28 грн
2000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+31.11 грн
100+21.67 грн
500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.71 грн
10+33.26 грн
100+20.16 грн
500+15.74 грн
1000+13.39 грн
2000+12.29 грн
10000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647onsemiON Semiconductor BIP NPN 2A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647KEXIN09+
на замовлення 196018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647-TD/CCSANYO05+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+37.07 грн
100+22.30 грн
500+18.64 грн
1000+15.88 грн
2000+14.15 грн
5000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.58 грн
18+46.39 грн
100+30.20 грн
500+21.61 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.20 грн
500+21.61 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
12+36.48 грн
100+23.35 грн
500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EON Semiconductor
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+34.55 грн
100+23.92 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+37.84 грн
100+26.21 грн
500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.25 грн
17+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.47 грн
10+41.04 грн
100+24.30 грн
500+20.37 грн
1000+17.26 грн
2000+15.67 грн
5000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648-TDSANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 11786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
11+31.68 грн
100+18.78 грн
500+14.84 грн
1000+13.39 грн
2000+12.63 грн
10000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
10+33.21 грн
100+23.08 грн
500+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.21 грн
2000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-EXonsemiDescription: BIP NPN 0.7A 160V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 24359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.38 грн
100+20.92 грн
500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.36 грн
2000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EAptina ImagingTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.36 грн
2000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.96 грн
2000+13.07 грн
3000+12.39 грн
5000+10.91 грн
7000+10.48 грн
10000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EOn SemiconductorТранзистор биполярный Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 31561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
11+31.68 грн
100+18.29 грн
500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649-S-TD
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649-TDSANYOSOT89
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TDSANYOSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.14 грн
2000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+52.65 грн
100+34.60 грн
500+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 23871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+51.05 грн
100+29.41 грн
500+21.95 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.17 грн
2000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 140...280
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TDSNYSOT223
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.56 грн
22+36.65 грн
100+24.65 грн
500+18.70 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]