Продукція > FCB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCB-405-AY4TycoFCB-405-AY4 RELAY 4PDT 5A 28V Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-AZ3TE ConnectivityIndustrial Relays
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BW4TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: RELAY 4PDT 5A 28V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 28VDC
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Termination Style: PC Pin
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Contact Rating (Current): 5 A
Must Release Voltage: 1.5 VDC
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 6 ms
Release Time: 6 ms
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BW4TE ConnectivityIndustrial Relays 4PDT 5 AMP RELAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BX4TE ConnectivityIndustrial Relays MIDRANGE RELAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BY3TE Connectivity / P&BIndustrial Relays FCB-405-BY3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BY4TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: FCB-405-BY4 RELAY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BY4 RELAYTE ConnectivityIndustrial Relays
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BZ2TE Connectivity / P&BIndustrial Relays FCB-405-BZ2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BZ4TE Connectivity / RaychemIndustrial Relays 4FormC (4PDT) 28VDC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-BZ5TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: FCB-405-BZ5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-CW2TE ConnectivityIndustrial Relays
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-CX2TE Connectivity / AMPIndustrial Relays FCB-405-CX2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-CX4TE ConnectivityIndustrial Relays FCB-405-CX4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-CY2TE ConnectivityGeneral Purpose Relays FCB-405-CY2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-405-CY4TE ConnectivityGeneral Purpose Relays FCB-405-CY4
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB-EW9500HSONYВідеокамера (2160p/60), Uживл, В = 7...12, Р, Вт = 4,6, Розд. зд. = 2688x1512, Тексп, °C = -5 °C to +60 °C, Тип датчика = CMOS, Тип інтерф. = HDMI, Чутл. = 0.000005 lx, Оптичне збільшення 30x,... Датчики Корпус: Open frame Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.88 грн
10+466.18 грн
100+373.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.37 грн
10+381.69 грн
50+304.95 грн
100+263.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.73 грн
37+390.93 грн
100+354.42 грн
250+307.20 грн
500+274.87 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+540.09 грн
5+416.81 грн
10+369.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+191.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.07 грн
10+325.09 грн
50+258.02 грн
100+221.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US12XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 12V 80W
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3155.64 грн
5+2948.19 грн
10+2856.86 грн
25+2566.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US12XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US12XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US12 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12VDC
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 7.5A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US15XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US15 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15VDC
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 6A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US15XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 15V 80W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3172.10 грн
5+2963.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US15XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US15XP POWERCategory: Open Frame Power Supplies
Description: Power supply: switching; open; 100W; 80÷264VAC; OUT: 1; 15VDC; 6A
Type of power supply: switching
Output voltage: 15V DC
Power: 0.1kW
Supply voltage: 80...264V AC
Kind of power supply: open
Body dimensions: 101.6x50.8x31.8mm
Operating temperature: -25...70°C
Efficiency: 87%
Switching frequency: 70kHz
Output current: 6A
Insulation voltage: 4kV
Power consumption without load: <0.3W
Number of outputs: 1
Mounting: mounting holes
Manufacturer series: FCB100
Electrical connection: connector with snap lock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US19XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US19 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 19VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 4.7A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US19XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 19V 80W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3157.21 грн
5+2948.64 грн
10+2857.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US19XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US24XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US24XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US24 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 24VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 4A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US24XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 24V 84W
Power (Watts): 84W (101W Forced Air)
Features: Universal Input
Packaging: Tray
Size / Dimension: 4.00" L x 2.00" W x 1.25" H (101.6mm x 50.8mm x 31.8mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 80 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Household Appliances, ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CB, CE, UKCA, UL
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60335-1; 60601-1; 60950-1; 62368-1
Current - Output 1: 4.2 A
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3338.27 грн
5+3118.17 грн
10+3022.16 грн
25+2715.25 грн
100+2534.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US36XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US36 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 36VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 2.6A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US36XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 36V 86W
Current - Output 1: 2.8 A
Standard Number: 60335-1; 60601-1; 60950-1; 62368-1
Voltage - Isolation: 4 kV
Number of Outputs: 1
Part Status: Active
Voltage - Output 1: 36V
Efficiency: 87%
Approval Agency: CB, CE, UKCA, UL
Applications: Household Appliances, ITE (Commercial), Medical
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Type: Open Frame
Voltage - Input: 80 ~ 264 VAC
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 4.00" L x 2.00" W x 1.25" H (101.6mm x 50.8mm x 31.8mm)
Features: Universal Input
Power (Watts): 86W (101W Forced Air)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US36XP PowerPower Supplies - Chassis Mount AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US48XP PowerDescription: AC/DC CONVERTER 48V 86W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US48XP PowerSwitching Power Supplies AC-DC POWER SUPPLY 100W MEDICAL
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB100US48XP POWERDescription: XP POWER - FCB100US48 - AC/DC-Netzteil in Open-Frame-Version, ITE, Haushalt & Medizin, 1 Ausgang, 100W bei 10CFM, 80 W
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
usEccn: EAR99
Nennleistung (Zwangskühlung): 100W bei 10CFM
AC-Eingangsspannung: 80V AC bis 264V AC
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Nennleistung (Konvektionskühlung): 80W
Stromversorgungsausgang: Fest
Produktpalette: FCB100 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 48VDC
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 2A
Anwendungen für das Netzteil: ITE, Haushalt & Medizin
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+501.06 грн
33+440.05 грн
45+318.51 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.24 грн
10+379.51 грн
50+303.15 грн
100+261.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET, 650 V, 5 A, 110 mohm, D-PAK
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.06 грн
10+440.05 грн
25+318.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60onsemi / FairchildMOSFET SF1 600V 380MOHM E D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60Ffairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60FTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB11N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMonsemiMOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.23 грн
10+221.76 грн
50+173.28 грн
100+147.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3On SemiconductorMOSFET N-CH 650V 24A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+296.78 грн
50+234.50 грн
100+201.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB1608C-121T03BULLWILL2005+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB1608K-100T03BULLWILL2005+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB1608K-900T050603B
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.99 грн
10+229.45 грн
50+179.53 грн
100+153.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 35A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2012K-070T0904+ SMD
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2012K-150T060805BEAD
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2012K-170T060805BEAD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2012K-190T06
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2012K-260T060805BEAD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60onsemi / FairchildMOSFETs SF1 600V 190MOHM E D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V, 20A, SUPERFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.