Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
10000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
10000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 31980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
10000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemiMOSFETs SO-8
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.48 грн
100+32.93 грн
500+29.89 грн
1000+25.54 грн
2500+23.13 грн
5000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+30.06 грн
100+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4488-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFAIRCHILD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.25 грн
500+73.96 грн
1000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+82.56 грн
100+63.17 грн
1000+57.71 грн
2500+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.25 грн
500+73.96 грн
1000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+78.15 грн
100+52.46 грн
500+38.90 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.25 грн
500+73.96 грн
1000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501HNLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532FDS
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4532NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+37.74 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.86 грн
5000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559Fairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 60, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 11 нс, td(off)+tf = 19 нс, I2 =
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.57 грн
500+31.71 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.55 грн
16+47.85 грн
100+39.25 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.22 грн
10+49.69 грн
50+36.06 грн
100+31.74 грн
250+27.17 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONS/FAIMOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.35 грн
1000+40.90 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.63 грн
100+38.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
50+67.49 грн
100+45.34 грн
500+32.38 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559onsemiMOSFETs 60V/-60V N/P
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.48 грн
100+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.63 грн
500+91.47 грн
1000+84.34 грн
10000+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.63 грн
500+91.47 грн
1000+84.34 грн
10000+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559ANLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4559_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4585NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.86 грн
10+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+58.99 грн
100+33.90 грн
500+24.58 грн
1000+22.23 грн
2500+21.68 грн
5000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.51 грн
5000+19.14 грн
7500+18.33 грн
12500+16.35 грн
17500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+50.03 грн
100+32.97 грн
500+24.06 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.25 грн
500+74.03 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
50+72.97 грн
100+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.55 грн
5000+40.12 грн
7500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.15 грн
5000+40.67 грн
7500+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+70.97 грн
100+41.14 грн
500+32.38 грн
1000+29.41 грн
2500+26.72 грн
5000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.16 грн
500+40.46 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675NLFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675_NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONS/FAIMOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+42.11 грн
100+27.51 грн
500+19.93 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685
Код товару: 82291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.09 грн
50+53.96 грн
100+50.34 грн
500+42.48 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.68 грн
5000+15.68 грн
7500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.79 грн
5000+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685Fairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1872 @ 20, 1, Qg, нКл = 27, Rds = 42 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685onsemi / FairchildMOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.54 грн
10+64.94 грн
100+43.97 грн
500+37.28 грн
1000+30.38 грн
2500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.59 грн
500+41.43 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]