Продукція > NVM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS4C308NWFT1G | onsemi | Description: TRENCH 30V NCH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C308NWFT1G | onsemi | Description: TRENCH 30V NCH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C310NT1G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 30V NCH | на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C310NT3G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 30V NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C310NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 30V NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C310NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V TRENCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS4C310NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 30V NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 8251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | onsemi | MOSFETs SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1 | на замовлення 12025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -45A Power dissipation: 75W Case: DFN5x6 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 921 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 8251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1 | на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM | на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM | на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM | на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLWFT1G | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5826NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G | onsemi | MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G-UM | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G-UM | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G-UM | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 185A, 2.3 MOHM | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G-UM | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 185A, 2.3 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5830NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5831NLWFT1G | onsemi | Description: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5831NLWFT1G | onsemi | Description: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NL | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT1G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5832NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5832NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G | onsemi | MOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G-UM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G-UM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G-UM | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO | на замовлення 1500 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT3G | onsemi | MOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5832NLWFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NT3G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 40V, 86A, 7.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NWFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5833NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NL | onsemi | onsemi NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 913 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G-UM | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 75A, 9.3 MOHM, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G-UM | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT1G-UM | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 75A, 9.3 MOHM, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5834NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NL | onsemi | onsemi NFET SO8FL 60V 61A 12MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET SO8FL 60V | на замовлення 2703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVMFS5844NLT3G | ON Semiconductor | NVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |