Продукція > PJQ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJQ5548-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+52.61 грн
100+35.60 грн
500+27.30 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5560A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+84.23 грн
100+59.61 грн
500+45.66 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+66.27 грн
100+46.43 грн
500+35.25 грн
1000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5564A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5564A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+72.38 грн
100+50.90 грн
500+38.77 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+59.93 грн
100+41.88 грн
500+31.68 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5572A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+104.92 грн
100+75.00 грн
500+57.92 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5572A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5574A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+86.20 грн
100+61.04 грн
500+46.79 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5574A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+72.38 грн
100+50.90 грн
500+38.77 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5592-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+80.31 грн
100+56.74 грн
500+43.38 грн
1000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001PanjitMOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5808-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -31A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain current: -31A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: 25V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.74 грн
100+32.64 грн
500+23.75 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5846-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5846-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5846_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5846_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5848_R2_00001PanjitMOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5850-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5850_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.7W (Ta), 12W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5866A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+53.29 грн
100+41.45 грн
500+32.97 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5866A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5866A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+48.38 грн
100+37.62 грн
500+29.92 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5866A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5944S6V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5944S6V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.93 грн
100+49.75 грн
500+39.57 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+67.78 грн
100+52.68 грн
500+41.90 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5968A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.27 грн
100+66.60 грн
500+49.78 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5968A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQA5V6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQA5V6C
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQA6V2
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQMF05LC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQMF05LCT/R
на замовлення 90200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQMF05LCT/R/FAJIT
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQMS05
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6