Продукція > PJQ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJQ5528-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.40 грн
50+32.00 грн
100+26.56 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.85 грн
50+44.56 грн
100+37.17 грн
500+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530_R2_00201PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5530_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.46 грн
50+29.78 грн
100+24.69 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534-AU-R2-002A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.21 грн
50+42.54 грн
100+35.46 грн
500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.51 грн
50+27.50 грн
100+22.78 грн
500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534_R2_00201Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5534_R2_00201PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+140.31 грн
100+128.35 грн
500+98.30 грн
1000+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+124.77 грн
100+90.28 грн
500+71.97 грн
1000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5540V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542-AU-R2-002A1PanjitMOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: DFN5060-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542V-AU-R2-002A1PanjitMOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5542V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+97.67 грн
100+69.14 грн
500+55.18 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU-R2-002A1PanjitMOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+85.82 грн
100+60.70 грн
500+48.26 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 101A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 101A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.46 грн
50+35.82 грн
100+29.78 грн
500+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544S6V-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+88.76 грн
100+62.83 грн
500+50.02 грн
1000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+59.93 грн
100+41.77 грн
500+32.96 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.61 грн
50+29.84 грн
100+24.75 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+61.59 грн
100+42.94 грн
500+33.88 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+52.61 грн
100+35.60 грн
500+27.30 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548-AU_R2_002A1PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
50+27.78 грн
100+23.01 грн
500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548S6-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5560A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5560A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5560A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+154.88 грн
50+119.24 грн
100+101.12 грн
500+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.54 грн
100+68.31 грн
500+51.15 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.78 грн
50+59.96 грн
100+50.26 грн
500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5562A_R2_00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5564A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
50+65.47 грн
100+54.96 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5564A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.53 грн
50+54.31 грн
100+45.46 грн
500+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5568A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5572A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5572A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+124.31 грн
50+94.94 грн
100+80.19 грн
500+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5574A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5574A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
50+77.92 грн
100+65.60 грн
500+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
50+65.47 грн
100+54.96 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5590-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.88 грн
50+122.40 грн
100+103.85 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5590-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5592-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.80 грн
50+106.42 грн
100+90.08 грн
500+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5592-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5592-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5594-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.01 грн
50+72.66 грн
100+61.09 грн
500+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001PanjitMOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5606_R2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.95 грн
50+40.74 грн
100+33.94 грн
500+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]