Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.77 грн
100+7.95 грн
500+6.09 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106/XK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)ToshibaRN1106ACT(TPL3)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FTOS10 SOT-523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106F(T3SONY,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106F(T5LMAT-VFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106F(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106F(TH3MAT-VFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FS
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FSToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FS(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FTTOSHIBA10+ SOT-723
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106FVTOSHIBA
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFVToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 44649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.83 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
2000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.75 грн
16000+1.51 грн
24000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CBToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW VESM
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.31 грн
4412+3.21 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CTToshibaNPN Epitaxial Digital BJT
на замовлення 45177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
25+12.38 грн
100+6.73 грн
500+3.89 грн
1000+2.65 грн
2000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 4.7kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 9742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 41880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+21.13 грн
100+11.19 грн
500+6.91 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 100MA SSM
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 100MA SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 100MA SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106TE85R(XF)
на замовлення 193414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107TOSHIBA04+ SOT0603
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107(TE85L)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CBToshibaRN1107,LF(CB
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CBToshibaRN1107,LF(CB
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
3025+4.68 грн
5000+4.55 грн
10000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 25821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
6000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
16+19.25 грн
100+10.93 грн
500+6.79 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)ToshibaRN1107ACT(TPL3)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107FTOSHIBASOT23
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107FTTOSHIBA09+
на замовлення 12618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107FVTOSHIBA
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFVTOSHIBASOT723
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN PCT Process Bias Resistor built-in Transistor
на замовлення 8001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5282+2.68 грн
8000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 5282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107MFVTPL3
на замовлення 21340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108TOSHIBASOT23
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
9000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
9000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.68 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
25+12.53 грн
100+6.65 грн
500+4.10 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
93+8.78 грн
150+5.45 грн
500+3.68 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3)ToshibaRN1108ACT(TPL3)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
24+12.68 грн
100+6.90 грн
500+3.98 грн
1000+2.72 грн
2000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.30 грн
16000+1.93 грн
24000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3FToshibaDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 23610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F(BToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F(BToshibaRN1108MFV,L3F(B
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.58 грн
4066+3.48 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
122+6.71 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F(TToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3055+4.63 грн
3897+3.63 грн
5000+2.83 грн
5396+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.22 грн
122+6.71 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108T5L(XI)
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108TE85L(XI)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]