Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+242.38 грн
1020+241.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.76 грн
10+300.89 грн
100+219.53 грн
600+202.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+242.17 грн
1020+241.04 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW2002A1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW2003V1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW2004VI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW200NF03STMN-CHANNEL 30V - 0.002 W - 120A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW2040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 500V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW2040STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.87 грн
10+154.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW2040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 278mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.46 грн
5+524.31 грн
10+447.80 грн
50+332.80 грн
100+281.66 грн
250+259.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.36 грн
10+319.94 грн
100+234.03 грн
1200+216.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
30+277.96 грн
120+233.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 18A TO247
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Packaging: Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.94 грн
30+230.99 грн
120+192.53 грн
510+154.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+241.54 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95DK5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.27 грн
10+257.22 грн
100+186.39 грн
600+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+242.71 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.72 грн
30+274.97 грн
120+230.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+353.86 грн
48+295.48 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.87 грн
10+311.21 грн
100+227.12 грн
600+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+759.49 грн
5+546.87 грн
10+471.16 грн
50+397.87 грн
100+336.20 грн
250+310.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N95K5
Код товару: 184909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NB50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NB50
Код товару: 103431
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NB50STMN-кан. MOSFET 500V, 20A, 0.22Ом, 250Вт, TO-247 (PowerMesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NC50
Код товару: 117146
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NC50
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NC50STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
30+181.86 грн
120+150.02 грн
510+118.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+196.09 грн
100+140.83 грн
600+118.74 грн
1200+117.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.85 грн
10+202.96 грн
100+167.52 грн
500+143.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z
на замовлення 922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.96 грн
30+208.54 грн
120+206.44 грн
510+173.11 грн
1020+148.64 грн
2010+141.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTN-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.16 грн
68+209.55 грн
120+207.45 грн
510+173.95 грн
1020+149.37 грн
2010+142.27 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z
Код товару: 2710
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
  • 38 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+120.00 грн
10+111.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50ZSTMMOSFET N-CH 500V, 17A, TO-247 (IRFP460N) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK70Z
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK70ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 700 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50
Код товару: 32074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.2 Ом, 214Вт, O-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50.STW20NM50FD
на замовлення 18684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+455.50 грн
10+313.27 грн
30+284.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.83 грн
46+312.10 грн
120+308.93 грн
510+294.84 грн
1020+270.28 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+201.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.76 грн
30+311.08 грн
120+307.94 грн
510+293.90 грн
1020+269.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FD
Код товару: 180604
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.34 грн
10+294.78 грн
100+270.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMN-кан. MOSFET 500V, 20A, 0.22Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.89 грн
30+339.46 грн
120+286.84 грн
510+241.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.41 грн
10+377.89 грн
100+269.92 грн
600+268.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.58 грн
10+270.13 грн
100+224.31 грн
600+207.87 грн
1200+190.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60
Код товару: 161796
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.01 грн
10+292.36 грн
100+244.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.61 грн
30+271.35 грн
120+226.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.01 грн
10+288.18 грн
100+209.86 грн
600+192.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.31 грн
53+271.44 грн
100+225.40 грн
600+208.89 грн
1200+191.85 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD
Код товару: 1135
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 20 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.70 грн
10+318.13 грн
100+261.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.68 грн
30+285.89 грн
120+239.57 грн
510+192.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.78 грн
10+304.06 грн
100+221.60 грн
600+205.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMзамена IRFP27N60K Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.56 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.99 грн
30+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+802.71 грн
5+703.83 грн
10+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]