Продукція > TK2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK24HT-T01-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.76 грн
5+514.39 грн
10+415.25 грн
25+376.93 грн
50+363.69 грн
100+308.65 грн
500+283.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+761.64 грн
10+679.45 грн
50+476.56 грн
100+403.40 грн
200+393.65 грн
500+331.64 грн
1000+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-235+/-3%-195+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.76 грн
5+514.39 грн
10+415.25 грн
25+376.93 грн
50+363.69 грн
100+308.65 грн
500+283.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+761.64 грн
10+679.45 грн
50+476.56 грн
100+403.40 грн
200+393.65 грн
500+331.64 грн
1000+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-240+/-3%-200+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.76 грн
5+514.39 грн
10+415.25 грн
25+376.93 грн
50+363.69 грн
100+308.65 грн
500+283.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+761.64 грн
10+679.45 грн
50+476.56 грн
100+403.40 грн
200+393.65 грн
500+331.64 грн
1000+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.23 грн
5+443.88 грн
10+358.12 грн
25+325.37 грн
50+314.22 грн
100+266.85 грн
500+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-220+/-3%-180+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.23 грн
5+443.88 грн
10+358.12 грн
25+325.37 грн
50+314.22 грн
100+266.85 грн
500+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+647.02 грн
10+577.69 грн
50+405.49 грн
100+343.48 грн
200+334.43 грн
500+282.17 грн
1000+250.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.76 грн
5+514.39 грн
10+415.25 грн
25+376.93 грн
50+363.69 грн
100+308.65 грн
500+283.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+761.64 грн
10+679.45 грн
50+476.56 грн
100+403.40 грн
200+393.65 грн
500+331.64 грн
1000+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-250+/-3%-210+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.76 грн
5+514.39 грн
10+415.25 грн
25+376.93 грн
50+363.69 грн
100+308.65 грн
500+283.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+761.64 грн
10+679.45 грн
50+476.56 грн
100+403.40 грн
200+393.65 грн
500+331.64 грн
1000+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK250BMCL
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A10K3
Код товару: 116226
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A20D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.047 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
50+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X
Код товару: 191910
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.05 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.42 грн
10+226.75 грн
100+149.10 грн
500+124.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+156.05 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.53 грн
93+152.68 грн
100+144.26 грн
200+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+314.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.85 грн
10+282.03 грн
100+180.45 грн
500+160.25 грн
1000+143.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.73 грн
10+278.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60XS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E06K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E06K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+365.75 грн
44+328.69 грн
50+286.22 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.68 грн
10+234.10 грн
50+207.28 грн
100+173.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(TToshiba0
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.07 грн
50+211.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.80 грн
10+229.15 грн
100+181.84 грн
500+176.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.87 грн
10+234.10 грн
100+213.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60XS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.30 грн
10+256.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.91 грн
30+231.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.20 грн
10+270.82 грн
120+195.78 грн
510+176.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.73 грн
10+389.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.87 грн
100+41.90 грн
500+30.88 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
на замовлення 23962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.11 грн
10+67.70 грн
100+39.23 грн
500+30.80 грн
1000+28.08 грн
2000+25.01 грн
24000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.78 грн
216+65.63 грн
253+55.91 грн
500+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshibaMOSFETs 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.61 грн
10+63.06 грн
100+36.44 грн
500+28.50 грн
1000+25.99 грн
2000+23.06 грн
4000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.57 грн
100+38.88 грн
500+28.57 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.90 грн
250+65.18 грн
500+62.83 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQToshibaMOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+356.84 грн
100+262.55 грн
500+196.24 грн
1000+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.60 грн
10+356.84 грн
100+262.55 грн
500+196.24 грн
1000+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.83 грн
10+313.61 грн
100+227.95 грн
500+183.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.78 грн
10+302.87 грн
25+248.73 грн
100+213.20 грн
250+201.35 грн
500+189.51 грн
1000+162.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.92 грн
10+370.66 грн
100+272.30 грн
500+203.79 грн
1000+168.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+272.30 грн
500+203.79 грн
1000+168.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.88 грн
10+403.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK26263M (TC)Description: HOME TAPE KIT - STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK26E-006Fuji Electric CorporationTK26E-006
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4682.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK26E-007Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 10.5A ( (53mm 50.1mm)) Contactor mounting Over Load Relay
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4934.55 грн
5+4253.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]