Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SAR513PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR513PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -1A 180 to 450hFE -50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -50V -1A, Medium Power Transistor | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 1A 4PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS | на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 1Kbit EEPROM | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR513RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A TSMT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR513RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 1A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 347 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -80V Vceo -0.7A Ic MPT3 | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -0.7A 120 to 390hFE -80V | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 407 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 0.7A 4PIN MPT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 259 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT346T 80V .7A MID-PWR TRANS | на замовлення 5869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A TSMT3 | на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR514RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 700 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Digital Transtr Driver | на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A TSMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR514RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1112 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 3713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 274 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 3713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522MT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 266-275 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR522UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1220 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 0.2A UMT3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR522UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR522UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2084 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 179-188 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR523EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | ROHM | Description: ROHM - 2SAR523MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 | на замовлення 14222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | ROHM | Description: ROHM - 2SAR523MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor | на замовлення 9461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523MT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 | на замовлення 14222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523UBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans | на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR523UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR523V1T2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BiPolar Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAR533DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SAR533DTL | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |