Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7402TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7402TR | IOR | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | IOR | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7402TRPBF - IRF7402 - HEXFET POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 763 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC Tube | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403PBF Код товару: 22641
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/57 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7403PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403PBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403TR | IOR | 9742 | на замовлення 3175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR JSMICRO TIRF7403 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR HXY MOSFET TIRF7403 HXY кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC | на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7404 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404 Код товару: 7930
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 6,7 A Rds(on),Om: 0,04 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404HR | Infineon Technologies | Description: IRF7404HR | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404PBF | International Rectifier/Infineon | Р-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 68 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7404PBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404PBF Код товару: 22642
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 6,7 A Rds(on),Om: 0,040 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/50 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7404QTRPBF | IOR | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7404QTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TR | International Rectifier | P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7404TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF Код товару: 54654
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7404TRPBF | IRF7404TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7404TRPF | на замовлення 1993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7406-HXY | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406HR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12445 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406PBF | Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 45mOhms 39.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 147 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406PBF Код товару: 26544
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7406PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 5.8A SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TR | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406TRF | IR | 09+ MAC(8) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 2000 Од кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 164 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | International Rectifier | SO8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740AL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740AL | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740ALPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET | на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740ALPBF Код товару: 219830
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF740ALPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 963 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740ALPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740ALPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740ALPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740AP | Siliconix | N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET | на замовлення 11726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF Код товару: 32589
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1030/36 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 671 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF : SiHF740A-E3 IRF740APBF | Vishay Siliconix | (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740APBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF740APBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET | на замовлення 5993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740APBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF740AS | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF740ASPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

