Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4953DY-TI
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4953DYT1E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4955DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4955DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4955DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4959SISOP-8
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4959DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4959DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963SI09+ SMD-8
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 6.2A 2W
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+103.96 грн
177+79.70 грн
200+74.46 грн
500+61.05 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
10000+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4963DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.34 грн
500+84.90 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYFAIRCHILD09+
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DY+-1Y
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DY-T1VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DY-TI-E3
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963Y-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DYVISHAY09+
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DY-T1VISHAY2004
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4965DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966AL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DV-T1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DYVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-71
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-T1
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4966DYT1E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DYVishay / SiliconixMOSFET 12V 7.5A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DYVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-T1SILICONIX04+
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4967DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4971DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4971DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DY-T1-E3VishayMOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DY-T1-GE3
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4972DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DYVISHAY09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DYVishay / SiliconixMOSFETs DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (G-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1VISHAY
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4973DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4974DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4974DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4974DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4974DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4976DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4976DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4978DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DYVishay / SiliconixMOSFET 80V 3.7A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DY-T1VISHAY0337+
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4980DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4982SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4982DYVishayDual N-Channel, 100-Vds Rated MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4982DYVishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4982DY (мікросхеми різні)
Код товару: 40495
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]