Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 88 110 132 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7455Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455IRSO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455PBF
Код товару: 133322
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 20mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7455; IRF7455TR; SP001555380; SP001566270; IRF7455TR UMW TIRF7455 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRInternational RectifierN-MOSFET 15A 30V 2.5W 0.075Ω Replacement: IRF7455TR; IRF7455 smd TIRF7455
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 15A 7.5mOhm 37nC
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456 TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 6.5mOhms 41nC
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 16A 6.5mOhm 41nC
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.73 грн
143+99.09 грн
250+95.11 грн
500+88.41 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF
Код товару: 176316
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.06 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRIOR2002
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 15A 7mOhm 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.44 грн
10+80.16 грн
25+79.00 грн
50+74.16 грн
100+55.05 грн
250+52.39 грн
500+45.79 грн
1000+38.15 грн
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF-1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458IRSOP-8
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBFIR
на замовлення 7905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRInternational RectifierN-CH MOSFET 30V So-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs IR MOSFET 30 V in a SO-8 package
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
10+88.56 грн
100+60.10 грн
500+44.95 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.51 грн
10+75.69 грн
25+75.65 грн
100+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459TRIR02+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459TRPBFIOR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7459TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460International RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRPBF
Код товару: 33819
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 10A 10mOhm 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7460TRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463PBFIR
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463PBF
Код товару: 79754
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 14 А А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: -40...85
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7463TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464International RectifierN-MOSFET 1.2A 200V 2.5W 0.73Ω IRF7464 smd TIRF7464
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
95+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7464TRPBFIRF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 88 110 132 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]