Продукція > BSP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSP250,135NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NexperiaMOSFETs BSP250/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250GEG
Код товару: 30597
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A
Код товару: 79931
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Id, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
товару немає в наявності
3+8.00 грн
10+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A,126NXPаналог BSS92, VP2410L (TO-92) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP255PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP280INFINEONTO-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295-E6327SIEMENSSOT89
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.71 грн
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 7927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.43 грн
19+41.19 грн
25+40.78 грн
100+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
10+50.74 грн
50+37.49 грн
100+32.79 грн
125+31.37 грн
200+28.60 грн
500+23.90 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 16237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.32 грн
2000+21.11 грн
4000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+41.02 грн
346+40.90 грн
500+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.42 грн
50+43.42 грн
100+36.17 грн
500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.44 грн
1000+29.26 грн
2000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.63 грн
2000+21.36 грн
4000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 308310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 308219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.83 грн
1017+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 308219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296INF09+
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6327INFINEON00+;
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6433Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6327INFINEONSMD 01+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327Infineon technologies
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
на замовлення 6756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
16+27.17 грн
50+22.90 грн
100+21.64 грн
200+20.71 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.38 грн
31+24.37 грн
100+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.06 грн
50+33.27 грн
100+27.63 грн
500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.53 грн
37+20.73 грн
100+18.03 грн
250+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 329mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 4.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.28 грн
256+55.44 грн
260+54.59 грн
500+37.73 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.46 грн
50+38.92 грн
100+32.41 грн
500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297TECH PUBLICN-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223 BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC TBSP297 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297InfineonN-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 L6327Infineon
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297E6327InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327Infineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1InfineonN-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.