Продукція > BSP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP295 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295-E6327 | SIEMENS | SOT89 | на замовлення 407 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295E6327 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | на замовлення 611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | на замовлення 308310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295L6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 308219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 308219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 | INF | 09+ | на замовлення 11018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 E6327 | INFINEON | 00+; | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 E6433 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 L6327 | INFINEON | SMD 01+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296 L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296L6327 | Infineon technologies | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP296L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296L6433 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP296L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | на замовлення 6756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 116 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | на замовлення 31989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP296NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297 | TECH PUBLIC | N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223 BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC TBSP297 TEC кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297 | Infineon | N-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297 L6327 | Infineon | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP297E6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297H6327 | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 42706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP297L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP297L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP298 | INF | 09+ | на замовлення 32518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP298 E6327 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP298 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP298 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

