Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
500+170.10 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.92 грн
10+173.99 грн
25+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.77 грн
121+117.81 грн
500+95.27 грн
1000+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.99 грн
10+149.36 грн
100+89.38 грн
500+74.72 грн
1000+69.06 грн
2000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.60 грн
10+99.18 грн
25+79.01 грн
50+68.92 грн
100+66.40 грн
250+63.04 грн
500+60.52 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
10000+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.92 грн
10+131.39 грн
100+118.37 грн
500+92.30 грн
1000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 7539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.96 грн
10+111.61 грн
100+94.50 грн
500+73.15 грн
1000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
10000+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.47 грн
100+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 804 шт
  • 770 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 3 шт
  • 3 шт - очікується
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ ,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.38 грн
50+114.60 грн
100+103.24 грн
500+78.20 грн
1000+72.20 грн
2000+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPBInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+203.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.70 грн
10+116.25 грн
25+114.80 грн
100+109.30 грн
250+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.88 грн
10+167.63 грн
100+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.99 грн
10+152.34 грн
100+105.91 грн
500+86.24 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.95 грн
10+169.44 грн
100+103.34 грн
500+86.59 грн
800+79.60 грн
2400+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.05 грн
10+130.28 грн
20+118.51 грн
50+105.06 грн
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.70 грн
122+116.25 грн
124+114.80 грн
126+109.30 грн
250+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.68 грн
100+149.59 грн
500+115.59 грн
800+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.91 грн
500+86.24 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+145.29 грн
1000+134.66 грн
10000+115.05 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 135 шт
  • 70 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
100+48.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.38 грн
10+84.45 грн
100+63.90 грн
500+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.34 грн
28+27.83 грн
100+26.79 грн
500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.67 грн
10+102.65 грн
100+65.91 грн
500+50.83 грн
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.63 грн
10+120.45 грн
100+70.53 грн
500+60.05 грн
1000+53.63 грн
2000+50.69 грн
5000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+27.83 грн
530+26.79 грн
537+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+179.42 грн
117+122.09 грн
500+97.58 грн
1000+86.50 грн
2000+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.03 грн
10+119.67 грн
100+81.46 грн
500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.06 грн
223+63.60 грн
500+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.57 грн
10+64.72 грн
25+62.20 грн
50+59.68 грн
100+57.16 грн
500+51.27 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZS
Код товару: 99461
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+136.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.44 грн
500+91.29 грн
1000+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.13 грн
1600+65.22 грн
2400+62.56 грн
4000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+235.44 грн
50+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.29 грн
10+144.54 грн
100+86.59 грн
500+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.32 грн
5+132.80 грн
10+115.99 грн
50+84.89 грн
100+75.65 грн
250+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.39 грн
10+135.33 грн
100+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.23 грн
127+111.71 грн
500+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 11575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.45 грн
50+129.63 грн
100+117.03 грн
500+89.10 грн
1000+82.45 грн
2000+76.85 грн
5000+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.42 грн
10+95.82 грн
25+79.01 грн
50+70.60 грн
100+65.56 грн
500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.54 грн
104+136.97 грн
500+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
10000+115.05 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF
Код товару: 27155
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 196 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+48.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.28 грн
10+108.88 грн
100+102.53 грн
500+82.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 169 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5480 @ 25, Qg, нКл = 260 @ 10 В, Rds = 5,3 мОм @ 101 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 330, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.06 грн
10+142.56 грн
100+127.09 грн
500+96.07 грн
1000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.23 грн
138+102.86 грн
500+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
10000+115.05 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]