Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 6640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | NXP | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PDTA115ET,215 PDTA115ET TPDTA115et кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 Код товару: 184573
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA115E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115ET-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTA115ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 2902 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 284480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EU,115 - RF TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 54000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.02A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA115EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA115TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TK | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA115TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 79997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistor - Base (R1): 100 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 159975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 100 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TT | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 100kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115TT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA115TU,115 | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA115TU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115TU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115TU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 80363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 89239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 19543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EK | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA123EK T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EK(42) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA123EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 129976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 9976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 79970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 39871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123ET | NXP | Tranzystor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA123ET.215; PDTA123ET,215; PDTA123ET smd TPDTA123et кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTA123ET T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1563000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 2.2kΩ Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 180MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: PNP Mounting: SMD | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

