Продукція > PMV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV50XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XP215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4683 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia | MOSFETs MOS DISCRETES | на замовлення 6976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | TECH PUBLIC | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin TO-236AB PMV50XPR; PMV50XPR TECH PUBLIC TPMV50x кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | MOSFETs PMV50XP/SOT23/TO-236AB | на замовлення 78964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.2A | на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 5658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 630mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V | на замовлення 4613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 630mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEA | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV55ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 478mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | MOSFET 60V N-CHANNEL Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.1A | на замовлення 359870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV56XN | на замовлення 52600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV56XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min) Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV56XN215 | nxp | 10+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-35RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP Features: Brazed Seam, Serrated Termination Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 1.026" (26.06mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-L | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3RB-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4F-L | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4FB-2K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL Part Status: Active Contact Material: Copper Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Termination: Crimp Length - Overall: 1.040" (26.42mm) Stud/Tab Size: M5 Stud Terminal Type: Standard Insulation: Insulated Wire Gauge: 10-12 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Yellow Contact Finish: Tin Features: Brazed Seam, Serrated Termination Packaging: Bulk | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit | Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5FB-2K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5FB-2K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL Part Status: Obsolete Contact Material: Copper Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm) Termination: Crimp Length - Overall: 1.020" (25.91mm) Stud/Tab Size: M5 Stud Terminal Type: Standard Insulation: Insulated Wire Gauge: 10-12 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Yellow Contact Finish: Tin Features: Butted Seam Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Features: Brazed Seam, Serrated Termination Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.067" (27.10mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Features: Brazed Seam, Serrated Termination Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.067" (27.10mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5RB-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.030" (0.76mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.050" (26.67mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6F-L | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6FB-2K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL Contact Material: Copper Width - Outer Edges: 0.433" (11.00mm) Termination: Crimp Length - Overall: 1.130" (28.70mm) Stud/Tab Size: M6 Stud Terminal Type: Standard Insulation: Insulated Wire Gauge: 10-12 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Yellow Contact Finish: Tin Features: Butted Seam Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP Features: Brazed Seam, Serrated Termination Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M8 Stud Length - Overall: 1.235" (31.37mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-M16HEXNUT | E-Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV6-M16ORING | E-Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV6-P10-L | Panduit Corp | Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN | PH | 2003 SOT-23 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | Nexperia | MOSFETs N-CH TRENCH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 615mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 615mW Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 3A | на замовлення 35821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 615mW Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENROSH | на замовлення 2509 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV62XN,215 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV62XN215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FET Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

