Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP12N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12N50C3XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP12N50C3XKSA1 - SPP12N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 10179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 11.6A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP12X18 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP13 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1305S32RG | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP133R0JLFTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 33 OHM 5% 1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP133R0JTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 33 OHM 5% 1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1380B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP14 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1433S32RG | на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP14X20 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP14X24 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP14X28 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP14X32 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3 | INFINEON | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP15N60C3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3 Код товару: 100727
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP15N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP15N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 15A TO220-3 | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO220-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60CFD | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP15N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP15N60CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 13.4A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N65C3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP15N65C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP15P10P - SPP15P10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10P | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -100V -15A TO220-3 | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10P H | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PH | Infineon Technologies | Description: 15A, 100V, 0.24OHM, P-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PHXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP15P10PHXKSA1 - SPP15P10 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PHXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PHXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP15P10PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 15 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 128 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SIPMOS Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PL H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -15A TO220-3 | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PL H | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PLH | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP15P10PLHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16 | 3M | Scotch-Brite Surface Preparation Pad SPP16, 16 in, 10/Case | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP165R0K-152 | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole NON-COATED | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 38250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3 Код товару: 32700
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 560 V Струм стоку Idd, A: 16 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1600/66 Монтаж: THT | у наявності: 75 шт
|
| ||||||||||||||
| SPP16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 16A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP16N50C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP16N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 16A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17N80C2 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP17N80C3 Код товару: 34777
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO220 Напруга сток-витік Uds, V: 800 V Струм стоку Idd, A: 17 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2300/88 Монтаж: THT | у наявності: 8 шт
|
| |||||||||||||||
| SPP17N80C3 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 177, Rds = 0,290 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17N80C3E3064 SPP17N80C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3 | Infineon | MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP18 | 3M | Description: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP182R0JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP18P06P | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

