Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03ZETEX
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.96 грн
6000+20.95 грн
9000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+50.42 грн
100+34.92 грн
500+27.38 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+79.62 грн
1000+65.05 грн
2500+61.80 грн
5000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+113.82 грн
100+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.22 грн
11+72.42 грн
100+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.84 грн
19+41.71 грн
25+41.29 грн
100+31.12 грн
250+28.55 грн
500+22.41 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 39643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.29 грн
439+32.28 грн
443+31.97 грн
541+25.21 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTAZetexN-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 52280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.59 грн
25+41.57 грн
50+34.37 грн
100+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.38 грн
9000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AN8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 61570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.11 грн
500+10.71 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.42 грн
684+20.68 грн
690+20.50 грн
890+15.33 грн
1099+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 61570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+7.70 грн
9000+7.32 грн
15000+6.47 грн
21000+6.24 грн
30000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.09 грн
27+28.42 грн
100+19.94 грн
250+18.30 грн
500+13.63 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+51.02 грн
100+39.13 грн
500+29.03 грн
1000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.40 грн
222+63.78 грн
291+48.76 грн
294+46.54 грн
500+33.84 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.41 грн
12+64.40 грн
25+63.78 грн
100+47.02 грн
250+43.10 грн
500+32.49 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+52.61 грн
100+40.31 грн
500+29.91 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.99 грн
6000+21.51 грн
15000+20.71 грн
30000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+26.34 грн
100+17.93 грн
500+12.62 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1167+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 1167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+7.87 грн
9000+7.08 грн
30000+6.55 грн
75000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
23+18.53 грн
100+11.99 грн
500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+23.62 грн
100+14.16 грн
500+12.31 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 1776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+26.34 грн
100+17.93 грн
500+12.62 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 45542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.60 грн
6000+8.68 грн
15000+8.12 грн
30000+6.99 грн
75000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.07 грн
597+23.72 грн
642+22.06 грн
784+17.41 грн
1107+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.85 грн
22+35.71 грн
25+33.07 грн
100+22.88 грн
250+19.70 грн
500+15.48 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2N02
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3804
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.