Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN2A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TA
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.54 грн
10+51.76 грн
100+29.68 грн
500+23.34 грн
1000+19.93 грн
3000+18.05 грн
6000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.63 грн
500+25.29 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+38.34 грн
100+29.38 грн
500+21.79 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
16+52.51 грн
100+34.63 грн
500+25.29 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.59 грн
50+25.44 грн
100+12.68 грн
500+11.62 грн
1500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
6000+9.83 грн
9000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 15028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.06 грн
12+26.84 грн
100+14.91 грн
500+11.36 грн
1000+10.10 грн
3000+8.36 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.72 грн
100+17.08 грн
500+12.13 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
6000+9.83 грн
9000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.68 грн
500+11.62 грн
1500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+9.02 грн
9000+8.58 грн
15000+7.59 грн
21000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA 7N2DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V N Chnl UMOS
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03ZETEX
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.53 грн
500+27.63 грн
1000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.96 грн
6000+20.95 грн
9000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.48 грн
10+53.92 грн
100+32.05 грн
500+25.43 грн
1000+22.71 грн
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
14+59.18 грн
100+38.53 грн
500+27.63 грн
1000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+50.42 грн
100+34.92 грн
500+27.38 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+79.62 грн
1000+65.05 грн
2500+61.80 грн
5000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+116.98 грн
100+80.82 грн
500+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TAZETEXSOP 08+PBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+113.82 грн
100+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.22 грн
11+72.42 грн
100+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.84 грн
19+41.71 грн
25+41.29 грн
100+31.12 грн
250+28.55 грн
500+22.41 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.29 грн
439+32.28 грн
443+31.97 грн
541+25.21 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 20658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.44 грн
100+24.27 грн
500+17.45 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTAZetexN-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.00 грн
6000+13.27 грн
9000+12.68 грн
15000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 39643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+48.15 грн
100+27.38 грн
500+21.18 грн
1000+19.16 грн
3000+16.51 грн
6000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TA
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AN8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.91 грн
50+37.63 грн
100+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 61570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.11 грн
500+10.71 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 18309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.51 грн
13+26.28 грн
100+14.84 грн
500+11.36 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 61570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+7.70 грн
9000+7.32 грн
15000+6.47 грн
21000+6.24 грн
30000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes Inc./ZetexN-CH SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.42 грн
684+20.68 грн
690+20.50 грн
890+15.33 грн
1099+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.09 грн
27+28.42 грн
100+19.94 грн
250+18.30 грн
500+13.63 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.50 грн
500+27.02 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+51.02 грн
100+39.13 грн
500+29.03 грн
1000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
15+56.01 грн
100+39.50 грн
500+27.02 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.12 грн
10+45.59 грн
100+28.22 грн
500+22.92 грн
1000+20.76 грн
3000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.40 грн
222+63.78 грн
291+48.76 грн
294+46.54 грн
500+33.84 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+52.61 грн
100+40.31 грн
500+29.91 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.41 грн
12+64.40 грн
25+63.78 грн
100+47.02 грн
250+43.10 грн
500+32.49 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.99 грн
6000+21.51 грн
15000+20.71 грн
30000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B14FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]