Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7807PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TR SOP-8IR
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPB
Код товару: 37434
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 12nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,3, Rds = 25 мО, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+40.29 грн
190+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807V TRSILICONIX0447
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1IRSO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1
Код товару: 24875
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /9.5
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1PBFInternational RectifierSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1PBFInfineon / IRMOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1TRIR2004
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1TRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2IRSO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2PBFInfineon / IRMOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VD2TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 25 мОм @ 7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRIOR2005
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+40.40 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7807VTRPBF - IRF7807 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
892+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 892 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807Z
Код товару: 127151
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7807ZPBF - IRF7807 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFPROInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 11A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.77 грн
10+45.85 грн
100+28.63 грн
500+24.30 грн
1000+20.60 грн
2000+19.48 грн
8000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7808
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809IOR09+ SO-8
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRIR00+
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRPBFIOR
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRIR04+
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.38 грн
500+57.34 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.35 грн
10+93.69 грн
100+74.38 грн
500+57.34 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+90.74 грн
100+66.62 грн
500+59.56 грн
1000+41.83 грн
4000+35.54 грн
8000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.73 грн
184+77.11 грн
215+66.03 грн
227+60.42 грн
500+52.29 грн
1000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809TRPBFIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811IORSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811APBFIR09+ QFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]