Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7811APBF 
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRIRSOP8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATR SOP8IR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFIORDIP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AV/AIOR09+ SO-8
на замовлення 23987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBF
Код товару: 71910
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR
Код товару: 25341
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 28 V
Idd,A: 11,4 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR SOP8IR
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVUPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRIOR00+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRPBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WIR09+
на замовлення 34514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 14A, 12 mOhm, 15.6 nC Qg, SO-8, Halogen-free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRIR07+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFIOR
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBF7811AVTRPBF
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815PBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 43mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815PBSIR10+ QFN-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+136.08 грн
149+95.44 грн
200+86.94 грн
500+67.52 грн
1000+58.39 грн
2000+47.95 грн
4000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+89.61 грн
100+60.12 грн
500+44.18 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.54 грн
10+95.62 грн
100+64.81 грн
500+48.43 грн
1000+44.45 грн
2000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.12 грн
500+44.18 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg
на замовлення 17719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+86.73 грн
100+50.14 грн
500+39.66 грн
1000+36.24 грн
2000+34.08 грн
4000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.90 грн
10+83.21 грн
100+56.20 грн
500+41.88 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.00 грн
10+104.39 грн
100+61.24 грн
500+49.72 грн
1000+44.55 грн
2000+41.62 грн
4000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineonMOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.69 грн
500+41.15 грн
1000+34.91 грн
5000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.88 грн
12+64.08 грн
25+63.28 грн
100+54.46 грн
250+50.03 грн
500+40.18 грн
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.91 грн
298+47.72 грн
299+47.44 грн
1000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 40918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+90.43 грн
100+60.69 грн
500+41.15 грн
1000+34.91 грн
5000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+64.08 грн
225+63.28 грн
252+56.47 грн
253+54.03 грн
500+41.85 грн
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.52 грн
28+27.50 грн
100+15.78 грн
500+13.30 грн
1000+9.87 грн
2500+9.07 грн
5000+8.75 грн
10000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.43 грн
10+86.01 грн
25+77.58 грн
100+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.20 грн
13+65.34 грн
100+46.03 грн
500+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.56 грн
10+81.07 грн
25+66.88 грн
50+63.84 грн
100+51.13 грн
250+47.77 грн
500+40.42 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.07 грн
212+66.88 грн
215+66.21 грн
248+55.22 грн
255+49.76 грн
500+40.42 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC
на замовлення 22348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.78 грн
10+63.28 грн
100+42.80 грн
500+36.31 грн
1000+29.54 грн
2000+27.79 грн
4000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.81 грн
100+43.91 грн
500+32.40 грн
1000+29.58 грн
2000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.12 грн
359+39.50 грн
378+37.52 грн
500+33.81 грн
1000+29.36 грн
4000+24.79 грн
16000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]