Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7834Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834IRSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834PBFIRSOP 09+
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.98 грн
10+114.53 грн
25+102.13 грн
100+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7834TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7835IR05+ SOP-8;
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7835TRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7836IOR09+
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7836TRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842
Код товару: 23544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842PBF
Код товару: 23513
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 40 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/33
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842PBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.17 грн
189+75.03 грн
200+72.39 грн
500+60.96 грн
1000+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.75 грн
10+77.33 грн
100+48.95 грн
500+37.99 грн
1000+34.70 грн
2000+32.75 грн
4000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.01 грн
151+94.46 грн
197+72.05 грн
250+68.78 грн
500+48.46 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.91 грн
250+56.29 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 12925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.90 грн
10+103.79 грн
100+70.14 грн
500+52.28 грн
1000+47.93 грн
2000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF
Код товару: 113287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.97 грн
50+83.91 грн
250+56.29 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.58 грн
8000+41.13 грн
12000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+99.01 грн
25+94.46 грн
100+69.47 грн
250+63.69 грн
500+46.52 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7843TRPBFIOR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853IR10+ DIP6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBF
Код товару: 50382
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 100 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1640/28
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853PBFInfineonMOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+68.74 грн
100+44.34 грн
500+39.52 грн
1000+36.10 грн
2000+35.82 грн
4000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.91 грн
14+57.07 грн
25+56.50 грн
100+47.99 грн
250+43.98 грн
500+39.39 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+76.18 грн
100+51.29 грн
500+38.11 грн
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+60.09 грн
239+59.50 грн
276+51.51 грн
278+49.18 грн
500+42.10 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.97 грн
8000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.37 грн
300+47.34 грн
318+44.70 грн
500+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.08 грн
10+109.98 грн
100+73.24 грн
500+53.86 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854International RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+71.98 грн
160000+65.77 грн
240000+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.95 грн
283+50.15 грн
288+49.36 грн
292+46.82 грн
500+42.64 грн
1000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.31 грн
250+59.96 грн
1000+46.90 грн
2000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.85 грн
10+58.78 грн
100+44.76 грн
500+42.80 грн
1000+39.66 грн
2000+38.41 грн
4000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.46 грн
50+82.28 грн
250+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.62 грн
261+54.34 грн
264+53.77 грн
266+51.49 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.95 грн
25+50.15 грн
100+47.59 грн
250+43.35 грн
500+40.94 грн
1000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.25 грн
10+98.64 грн
100+66.91 грн
500+50.03 грн
1000+45.93 грн
2000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855IR
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+283.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.91 грн
10+113.99 грн
25+105.87 грн
100+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3800 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3800+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBF (транзистор)
Код товару: 49589
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+98.77 грн
100+58.10 грн
500+47.13 грн
1000+42.25 грн
2000+39.45 грн
4000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+107.44 грн
500+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.67 грн
50+110.79 грн
250+76.41 грн
1000+53.33 грн
2000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.50 грн
120+118.12 грн
130+109.62 грн
200+90.94 грн
500+82.43 грн
1000+63.67 грн
2000+59.70 грн
4000+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+69.17 грн
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+82.23 грн
100+65.43 грн
500+50.65 грн
1000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.79 грн
250+76.41 грн
1000+53.33 грн
2000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+107.44 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55///+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]