Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK653R5-55CNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R6-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R8-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655450B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500ABC
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500B
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK657450B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55CNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NexperiaMOSFET BUK6607-55C/SOT404/D2PAK
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+135.76 грн
100+95.27 грн
500+80.77 грн
800+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NXPMOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 100A
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 78A
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R8-30C,118NexperiaMOSFETs N-CHAN 30V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R8-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
10+174.78 грн
100+128.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R5-30C,118-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 30V, 0.0048OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55CNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK662R7-55C - POWE
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R2-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 14413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75CNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.24 грн
4000+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C
Код товару: 175664
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 100A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C1R5-40C,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118-NXNXP USA Inc.Description: PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C3R3-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Bulk
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C3R3-75C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperiaMOSFET BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.89 грн
9000+6.99 грн
24000+5.94 грн
45000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.70 грн
500+7.93 грн
1000+7.18 грн
5000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.13 грн
50+18.25 грн
100+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.10 грн
91+8.94 грн
100+8.70 грн
500+7.93 грн
1000+7.18 грн
5000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 20084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+24.38 грн
100+17.24 грн
500+12.28 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.91 грн
50+28.67 грн
100+21.18 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
6000+9.18 грн
9000+8.37 грн
15000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 60V 8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.18 грн
500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PZNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 60V 8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PZNexperia USA Inc.Description: BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.67 грн
33+24.97 грн
100+17.80 грн
500+13.16 грн
1000+9.04 грн
3000+8.28 грн
6000+6.90 грн
12000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]