Продукція > FDD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD13AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PwrTrench | на замовлення 7004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD13AN06A0 | Fairchild | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD13AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab | на замовлення 18510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD13AN06A0-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | на замовлення 225212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13AN06A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD13N06A0 | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06A0 | FAIRCHILD | 07+ D-PAK/ TO-252 | на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 56708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0 | fairchild | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0-SB82248 | onsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06LA0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 | на замовлення 189012500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD14AN06L_F085 | onsemi | onsemi NMOS DPAK 60V 12 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD15-05S1 | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 5VDC; Iout: 2A; FDD15 Power: 10W Output voltage: 5V DC Output current: 2A Body dimensions: 50.8x50.8x12mm Manufacturer series: FDD15 Operating temperature: -10...51°C Protection: short circuit protection SCP Efficiency: 77% Insulation voltage: 1.5kV DC Input voltage: 9...18V DC Type of converter: DC/DC | на замовлення 153 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD15-15S3 Код товару: 37698
Додати до обраних
Обраний товар
| Chinfa | Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | onsemi | MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND | на замовлення 13198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V | на замовлення 22669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 13.6A; 14.9W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 13.6A Power dissipation: 14.9W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND | на замовлення 13741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZD | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZD | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD1600N10ALZD | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V | на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) | на замовлення 10322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Trans N-Ch 75V 9A | на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0_F085A | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0_NF054 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08A0_SN00088 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16AN08AO | FAIRCHILD | 07+ | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD16ANN08A0 | FAIRCHILD | 07+ D-PAK/ TO-252 | на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | onsemi | MOSFETs 200V NChannel UniFET | на замовлення 51334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V | на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3 Case: DPAK3 Mounting: SMD On-state resistance: 0.125Ω Drain current: 16A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 89W Pulsed drain current: 64A Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V NChannel UniFET | на замовлення 56561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-110(5) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .110 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-110(8) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .110 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-187(5) | Multicomp | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Copper/Brass Red F 19.7mm Electro Tin | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-187(5) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .187 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-187(5) | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDD2-187(5) - CRIMPHÜLSEN, BLAU, 100ER-PACK tariffCode: 85369010 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-187(8) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .187 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-187(8) | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDD2-187(8) - Steckhülse, FDD2, Flachsteckhülse, 4.75mm x 0.81mm, 0.187" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG tariffCode: 85369010 euEccn: NLR Isoliermaterial: Vinyl rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.032" isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm² SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Blau Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG Produktpalette: FDD2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Anschlussmaterial: Messing | на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-205(5) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .020 x .205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-205(8) | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-250 | CONNECTAR | blue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250 | Multicomp | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 20.8mm Electro Tin | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDD2-250 - Steckhülse, FDD2, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 16 AWG, 14 AWG tariffCode: 85369010 euEccn: NLR Isoliermaterial: Vinyl rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm² SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Blau Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG Produktpalette: FDD2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Anschlussmaterial: Messing | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250 | CONNECTAR | blue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250 | KST | N/A | на замовлення 4287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-250 | CONNECTAR | blue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250 | CONNECTAR | blue, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 1.5~2.5mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC, eqiv. BM00290, FVDDF2-250A, ST-005/B, ZS6.3giz2.5 FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD2-250 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-250 | KS Terminals | Terminals Vinyl, Double Crimp Female, 16-14 AWG, .032 x .250 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-250-1 | KS Terminals | WIRE RANGE: 16-14 AWG,TAB:0.032X0.250inch, INSULATION COLOR: BLUE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-250-10 | Remington Industries | Description: QUICK CONNECT TERM FEMALE 10PCS Part Status: Active Contact Material: Brass Tab Width: 0.250" (6.35mm) Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Termination: Crimp Length - Overall: 0.807" (20.50mm) Terminal Type: Standard Insulation: Insulated Wire Gauge: 14-16 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Blue Contact Finish: Tin Gender: Female Packaging: Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-250-100 | Remington Industries | Description: QUICK CONNECT TERM FEMALE 100PCS Wire Gauge: 14-16 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Blue Contact Finish: Tin Gender: Female Packaging: Bulk Part Status: Active Contact Material: Brass Tab Width: 0.250" (6.35mm) Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Termination: Crimp Length - Overall: 0.807" (20.50mm) Terminal Type: Standard Insulation: Insulated | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDD2-312 | KS Terminals | Terminals WIRE RANGE: 16-14 AWG, TAB:0.032X0.250inch, INSULATION COLOR: BLUE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-375 | KS Terminals | Terminals WIRE RANGE: 16-14 AWG, TAB:0.047X0.370inch, INSULATION COLOR: BLUE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-G | ABB Installation Products | Enclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG2HUB 3/4IN GRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-G1 | ABB Installation Products | Enclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG2HUB 3/4IN GR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD2-R | ABB Installation Products | Enclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN RE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

