Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD10AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0onsemiMOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET
на замовлення 6044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0QFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+202.67 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0QON SemiconductorFDD10AN06A0Q
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
1000+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06AOFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10N20LZTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10N20LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10N20LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD12-03S4CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 10÷36VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 10...36V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 78%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD12-03S5CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷72VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 18...72V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 80%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD12-0512T5
Код товару: 165577
Додати до обраних Обраний товар
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD12-0515T4
Код товару: 91847
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD12-15S4CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 12W; Uin: 10÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 800mA; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 12W
Output voltage: 15V DC
Input voltage: 10...36V DC
Output current: 0.8A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 80%
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2101.66 грн
5+1802.26 грн
25+1502.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.32 грн
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
6+70.78 грн
10+61.81 грн
50+44.62 грн
100+39.00 грн
500+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON-SemiconductorN-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.43 грн
5000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.55 грн
50+47.39 грн
100+39.58 грн
500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.26 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0onsemiMOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.66 грн
500+39.15 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0-F085onsemi / FairchildMOSFET 14A 150V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.0905 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0905
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0_F085onsemiDescription: FDD120AN15A0_F085
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15AO
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.90 грн
500+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.90 грн
500+105.21 грн
1000+97.02 грн
10000+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.90 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0FairchildN-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.14 грн
5000+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.44 грн
50+89.58 грн
100+75.61 грн
500+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.05 грн
10+105.21 грн
25+104.67 грн
100+85.37 грн
250+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
10+114.06 грн
25+96.44 грн
50+84.70 грн
100+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.51 грн
5000+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.05 грн
135+105.21 грн
136+104.67 грн
160+85.37 грн
250+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085onsemiMOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 10672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.25 грн
50+75.24 грн
100+63.33 грн
500+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 225212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13N06A0fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06A0FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
10000+192.07 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+181.37 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
10000+192.07 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+223.94 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0-SB82248onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
на замовлення 189012500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06L_F085onsemionsemi NMOS DPAK 60V 12 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-03S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-03S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 18...36V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-05S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 5VDC; Iout: 2A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 5V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 2A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+834.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-12S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 12VDC; Iout: 834mA; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 0.834A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-12S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Iout: 1.25A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 15W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 18...36V DC
Output current: 1.25A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 81%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD15-15S3
Код товару: 37698
Додати до обраних Обраний товар
ChinfaБлоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.11 грн
500+47.22 грн
1000+44.95 грн
2500+41.78 грн
5000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.38 грн
25+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.27 грн
5000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZonsemiMOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+52.84 грн
1000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.97 грн
50+52.38 грн
100+43.82 грн
500+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.