Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.93 грн
10+210.21 грн
100+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CONS/FAI900V 8A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25
Код товару: 77221
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
10+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25ONN
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25onsemi / FairchildMOSFETs 250V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1060CFairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20FAIRTO-220
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+74.00 грн
533+66.60 грн
1000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+75.42 грн
100+51.29 грн
500+43.49 грн
1000+35.41 грн
2000+33.34 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
10+96.65 грн
100+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+74.00 грн
533+66.60 грн
1000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+74.00 грн
533+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20TUFAIRCHILD03+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
1000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
на замовлення 67211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch MOSFET
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.68 грн
10+195.30 грн
25+164.30 грн
100+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 66340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.56 грн
500+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFONS/FAIMOSFET N-CH 500V 10A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C
Код товару: 82364
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUNLonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C_F105onsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40ConsemiMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CFAIRCHILDTO-220 06+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40ConsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/11A QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CT_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/11A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CYDTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40TonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFonsemiMOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+148.46 грн
100+98.03 грн
500+88.36 грн
1000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+102.41 грн
100+71.11 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.71 грн
10+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
10+103.90 грн
100+82.96 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N50C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ON SemiconductorFQPF12N60
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.95 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+247.26 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ON SemiconductorFQPF12N60
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.95 грн
500+277.59 грн
1000+262.24 грн
10000+238.06 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ON SemiconductorFQPF12N60
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.95 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ConsemiMOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C
Код товару: 92801
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C
Код товару: 92799
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60Consemi / FairchildMOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C-FSFairchild SemiconductorDescription: 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C51WFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CT_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/12A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60Tonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]