Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25
Код товару: 77221
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1060CFairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20FAIRTO-220
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+73.84 грн
533+66.46 грн
1000+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+73.84 грн
533+66.46 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20TUFAIRCHILD03+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFONS/FAIMOSFET N-CH 500V 10A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFonsemiMOSFETs 500V N-Ch MOSFET
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C
Код товару: 82364
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTUNLonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60CYDTU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C_F105onsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N60C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CFAIRCHILDTO-220 06+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40ConsemiMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40ConsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/11A QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CT_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/11A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40CYDTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40TonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFonsemiMOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N50CFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+108.98 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.44 грн
10+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N50C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60FAIRCHILDFQPF12N60
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60FAIRCHILDFQPF12N60
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.30 грн
500+276.98 грн
1000+261.65 грн
10000+237.54 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60FAIRCHILDFQPF12N60
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C
Код товару: 92799
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60ConsemiMOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C
Код товару: 92801
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C-FSFairchild SemiconductorDescription: 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C51WFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60CT_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/12A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TFAIRCHILDFQPF12N60T
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12N60T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60Tonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60TFAIRCHILDFQPF12N60T
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60T_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10FAIRCHILDFQPF12P10
на замовлення 114007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
10000+56.65 грн
100000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF12P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 114717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12P10FAIRCHILDFQPF12P10
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.