Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 28A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA180N10N3G | Infineon Technologies | Description: 28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 28A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA180N10N3GXKSA1 TIPA180n10n3g кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA320N20NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA320N20NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA320N20NM3SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA400H | ELECTROLUBE | Description: ELECTROLUBE - IPA400H - Reiniger, Elektronikreiniger, IPA, Lösungsmittel, Leiterplatten, universell, Sprühdose, 400ml Reiniger: Universal Behältertyp: Sprühdose Gewicht: - Anwendungen Reiniger: Elektronik, Leiterplatten Volumen: 400 Produktpalette: Electrolube - IPA SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon Technologies | Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CP Код товару: 155814
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 Код товару: 191548
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 23A Power dissipation: 34W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CE | Infineon technologies | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA50R190CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.19Ω Drain current: 18.5A Power dissipation: 32W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R190CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24.8 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 24.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 13 Verlustleistung Pd: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CE Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 17A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R199CP | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; IPA50R199CPXKSA1 IPA50R199CP TIPA50r199cp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 54500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 56530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R199CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA50R199CPXKSA1 - IPA50R199 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R250CP | Infineon Technologies | Description: IPA50R250 - 500V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550 Dauer-Drainstrom Id: 13 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon technologies | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 773 @ 100, Qg, нКл = 32,6 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4,2 A, 13 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 350 мкА, Р, Вт = 30,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 FP Од. вим: кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.4W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 121500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 7.5A Power dissipation: 30.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | на замовлення 1769 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280CFD7 | Infineon Technologies | Description: IPA50R280CFD - 500V CoolMOS Powe Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280CFD7 | Infineon Technologies | IPA50R280CFD7 | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280E6 | Infineon Technologies | IPA50R280E6 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R280E6 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA50R280E6 - IPA50R280 - 500V, COOLMOS N-CHANEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 285 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R280E6 | Infineon Technologies | Description: IPA50R280 - 500V, CoolMOS N-Chan Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | на замовлення 31927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1079 | Infineon Technologies | Description: IPA50R299 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

